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当前位置:教育论文中心首页--博士论文--先进硫系材料的应用及其电子显微学研究
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先进硫系材料的应用及其电子显微学研究
 
     论文目录
 
摘要第4-6页
Abstract第6-8页
第1章 绪论第12-54页
    1.1 引言第12-20页
    1.2 硫系材料的物理性质及潜在应用第20-25页
    1.3 相变存储材料研究第25-34页
        1.3.1 GeSbTe类掺杂第26-27页
        1.3.2 SbTe类掺杂第27-30页
        1.3.3 Superlattice类相变存储材料第30-33页
        1.3.4 新型相变存储材料第33-34页
    1.4 热电材料性能调制第34-38页
        1.4.1 提升电学性能的策略第35-36页
        1.4.2 降低晶格热导率的策略第36-37页
        1.4.3 本征低热导率材料的探索第37-38页
    1.5 硫系热电材料研究第38-42页
        1.5.1 ⅣⅤ类硫系热电材料第38-39页
        1.5.2 Ⅴ2Ⅵ3 类硫系热电材料第39-41页
        1.5.3 ⅣⅤ-Ⅴ2Ⅵ3 伪二元类硫系热电材料第41-42页
    1.6 高熵热电材料第42-46页
    1.7 透射电子显微镜在硫系材料研究中的应用第46-51页
        1.7.1 空位和间隙原子研究第46-49页
        1.7.2 析出相研究第49-50页
        1.7.3 原位动态研究第50-51页
    1.8 本文研究内容及章节安排第51-54页
第2章 实验原理和方法第54-72页
    2.1 引言第54页
    2.2 材料制备和性能测试设备和方法第54-58页
        2.2.1 薄膜制备第54-55页
        2.2.2 单晶制备第55-57页
        2.2.3 TEM样品制备第57页
        2.2.4 热输运和电输运测试第57-58页
    2.3 材料形貌和结构表征设备第58-59页
    2.4 透射电子显微学分析方法第59-67页
        2.4.1 球差校正透射电镜定量化分析方法第59-66页
        2.4.2 径向分布函数第66-67页
    2.5 晶格热导率拟合第67-68页
    2.6 第一性原理计算第68-69页
    2.7 本章小结第69-72页
第3章 稀土元素Gd掺杂GST的性能和微结构研究第72-86页
    3.1 引言第72-73页
    3.2 制备和表征第73-79页
        3.2.1 样品制备和标征第73页
        3.2.2 电性能和数据保持力第73-75页
        3.2.3 XPS表征和研究第75-76页
        3.2.4 XRD表征和研究第76-77页
        3.2.5 TEM表征和研究第77-79页
    3.3 第一性原理计算第79-84页
        3.3.1 计算方法第79-80页
        3.3.2 计算结果与讨论第80-84页
    3.4 本章小结第84-86页
第4章 Ti SbTe原位热处理的微结构演化研究第86-100页
    4.1 引言第86-87页
    4.2 实验和计算方法第87页
        4.2.1 样品制备和表征第87页
        4.2.2 透射电镜表征第87页
        4.2.3 径向分布函数(RDF)第87页
    4.3 TiSbTe的形貌研究第87-89页
    4.4 TiSbTe透射电镜原位晶化研究第89-90页
    4.5 径向分布函数微结构演化研究第90-92页
    4.6 TiSbTe的晶体学研究第92-98页
        4.6.1 TiTe_2 析出相研究第92-94页
        4.6.2 TiSbTe层状结构研究第94-97页
        4.6.3 孪晶和位错等缺陷研究第97-98页
    4.7 本章小结第98-100页
第5章 GeTe/Sb_2Te_3 类超晶格结构研究第100-112页
    5.1 引言第100-101页
    5.2 Sb_2Te_3 的稳定六方相和亚稳立方相第101-103页
    5.3 GeTe/Sb_2Te_3 类超晶格结构制备与表征第103-104页
    5.4 热稳定性研究第104-109页
        5.4.1 Sb_2Te_3 的亚稳立方相热稳定性第105-107页
        5.4.2 失效行为研究第107-109页
    5.5 本章小结第109-112页
第6章 GeSb_2Te_4 的热电输运性质及其电子显微学研究第112-146页
    6.1 引言第112-114页
    6.2 单晶Ge Sb_2Te_4 的热电输运及其电子显微学研究第114-139页
        6.2.1 GeSb_2Te_4 单晶制备及表征第115-117页
        6.2.2 原子占位定量化第117-119页
        6.2.3 构型熵及其散射机制第119-123页
        6.2.4 第一性原理计算第123-126页
        6.2.5 非谐性第126-128页
        6.2.6 基于Debye-Callaway模型拟合晶格热导率第128-129页
        6.2.7 热电输运性质第129-137页
        6.2.8 声速及相关计算第137-139页
    6.3 GeSb_2Te_4 掺杂卤族元素碘的多晶热电性能第139-143页
        6.3.1 碘掺杂GST多晶制备第139页
        6.3.2 X射线结构解析第139-140页
        6.3.3 热电性能第140-143页
    6.4 本章小结第143-146页
结论与展望第146-148页
参考文献第148-162页
攻读博士期间取得研究成果第162-164页
致谢第164-166页

 
 
论文编号BS4398544,这篇论文共166
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