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碳化硅SBD和MESFETs功率器件研究

论文目录

摘要	第1-6页
ABSTRACT	第6-10页
第一章引言	第10-19页
·SiC材料基本特性和研究背景	第12-14页
·SiC材料基本特性	第12-14页
·SiC功率器件的研究背景	第14页
·SiC功率器件的国内外发展情况	第14-17页
·SiC功率器件国内发展情况	第14-15页
·SiC功率器件国外发展情况	第15-17页
·存在问题及击穿特性研究	第17-18页
·本论文主要工作	第18-19页
第二章器件分析工具、模型及软件收敛性分析	第19-39页
·ISE介绍	第19-20页
·概要说明	第19-20页
·使用流程	第20页
·物理模型	第20-26页
·三个基本方程	第21页
·输运方程	第21-22页
·常用的物理模型及其模型参数	第22-26页
·收敛性分析和研究	第26-39页
·牛顿算法简介	第26-29页
·收敛性判别参数分析	第29-30页
·收敛性问题的解决思路	第30-31页
·收敛性判别参数分析的验证	第31-38页
·结论	第38-39页
第三章新型4H-SiC阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管研究	第39-55页
·引言	第39-44页
·器件反向击穿电压	第39-40页
·RESURF技术	第40-44页
·器件结构	第44-45页
·单RESURF肖特基二极管(SR-SBD)击穿特性研究	第45-48页
·阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管击穿特性研究	第48-53页
·P降场层浓度对反向阻断特性的影响	第48-49页
·P降场层长度对反向阻断特性的影响	第49-53页
·结论	第53-55页
第四章 4H-SiC MESFETS多浮空金属环击穿电压的研究	第55-67页
·引言	第55-57页
·MESFETs结构	第55-56页
·结终端技术	第56-57页
·器件二维数值模拟分析	第57-66页
·4H-SiC MESFETs多浮空金属环结构	第57-58页
·单金属环结构尺寸对击穿电压的影响	第58-61页
·双金属环尺寸对击穿电压的影响	第61-65页
·多浮空金属环的正向I-V特性研究	第65页
·频率特性研究	第65-66页
·结论	第66-67页
第五章结论	第67-68页
致谢	第68-70页
参考文献	第70-74页
攻硕期间取得的研究成果	第74页

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