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应变硅MOS界面特性研究
 
     论文目录
 
摘要第1-4页
ABSTRACT第4-7页
第一章 绪论第7-11页
   ·应变硅MOS 技术国内外研究现状第7-9页
   ·应变硅MOS 界面特性研究意义第9-10页
   ·本论文的研究内容及章节安排第10-11页
第二章 应变硅MOS 电容- 电压特性分析第11-29页
   ·应变Si 物理特性及应变硅MOS 结构第11-16页
     ·应变硅物理特性第11-13页
     ·应变Si/驰豫Si_(-x)Ge_x异质结能带第13-15页
     ·应变硅MOS 结构第15-16页
   ·应变硅MOS C-V 特性分析第16-24页
     ·MOS 结构能带与直流偏压的关系第16-18页
     ·应变硅MOS 栅压与反型层少数载流子浓度模型第18-21页
     ·应变硅MOS C-V 特性研究第21-24页
   ·应变硅MOS C-V 特性仿真与分析第24-26页
   ·本章小结第26-29页
第三章 应变硅MOS 界面特性与表征第29-43页
   ·应变硅MOS 高频C-V 测试第29-32页
     ·应变硅MOS 高频C-V 测试原理第29-30页
     ·应变硅MOS 高频C-V 测试装置及步骤第30-31页
     ·应变硅MOS 高频C-V 测试结果及分析第31-32页
   ·应变硅MOS 界面/近界面电荷研究第32-39页
     ·界面陷阱电荷Q_(it)第32-34页
     ·氧化层可动电荷Q_m第34-36页
     ·氧化层固定电荷Q_f第36-38页
     ·氧化层陷阱电荷Q_(ot)第38-39页
   ·应变硅MOS 界面态密度分析第39-41页
   ·本章小结第41-43页
第四章 应变Si/SiO_2 界面对n- MOSFET 反型沟道电子迁移率的影响第43-51页
   ·应变硅MOS 反型沟道低场电子迁移率模型第43-47页
     ·应变硅电子体迁移率第43-44页
     ·表面声子散射第44-45页
     ·界面电荷散射第45-46页
     ·表面粗糙散射第46-47页
     ·总的迁移率模型第47页
   ·应变硅MOS 反型沟道高场电子迁移率模型第47-48页
   ·迁移率仿真分析及结果第48-49页
   ·本章小结第49-51页
第五章 总结第51-53页
致谢第53-55页
参考文献第55-58页

 
 
论文编号BS1732395,这篇论文共58
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