logo
教育论文中心  教育论文中心   广告服务  广告服务   论文搜索  论文搜索   论文发表  论文发表   会员专区  会员专区   在线购卡   在线购卡   服务帮助  服务帮助   联系我们  联系我们   网站地图  网站地图   硕士论文  会员专区   博士论文
当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--退火条件对4H-SiC/SiO2 MOS电容特性的影响研究
博硕论文分类列表
工业技术 交通运输 农业科学
生物科学 航空航天 历史地理
医学卫生 语言文字 环境科学
综合图书 政治法律 社会科学
马列主义、毛泽东思想 艺术
数理科学和化学 文学
天文学、地理科学 军事
文化科学、教育体育 经济
自然科学总论 哲学
查看更多分类
 
论文搜索
 
 
相关论文
低能量冲击波和骨髓间充质干细胞对
HSV2编码的microRNA分
金属纳米晶MOS电容存储效应研
柔性硅基MOS电容制备及特性研究
氮钝化SiC MOS界面特性G
基于平板电容模型电容传感器以及
微波退火条件下Ni(Si,Ge)
MOS电容高频C-V测试平台及S
退火温度高介电HfO2薄膜
基于MOS管振荡电路非晶态合金
MOS气敏传感器制备及棉花模板
新型有机硅树脂/无机粉体杂化材料
应变硅MOS界面特性研究
双轴应变硅MOS器件自热效应研
超深亚微米MOS器件RTS噪声研
Ⅲ-Ⅴ族MOSFET电容电压和
基于MOS方法客观降水预报模型
引物浓度与退火温度不当导致巢式P
模拟退火及紫外光谱法用于多组分维
混合遗传模拟退火算法解决多机调度
模拟退火及紫外光谱法用于多组分维
高k栅介质层MOS电容式硅基电光
早期幼儿双语教育研究--从个案研
高K栅介质Ge MOS电容特性
强介电材料Si-MOS电容特性
基于有机金属卤化物钙钛矿MOS
基于柔性基体InGaAs MO
铪基MOS结构制备及其特性研究
铪基高K栅制备、物性及MOS
Ge基nMOSFET器件与工艺技
基于CMOS工艺622MHz电
SiC MOS界面氮等离子体改性
三维集成系统中互连建模及其传输
射频收发机中分数分频频率综合器研
先进CMOS高k栅介质实验与理
 
科目列表
市场营销 管理理论 人力资源
电子商务 社会实践 先进教育
伦理道德 艺术理论 环境保护
农村研究 交通相关 烟草论文
电子电气 财务分析 融资决策
电影艺术 国学论文 材料工程
语文论文 数学论文 英语论文
政治论文 物理论文 化学论文
生物论文 美术论文 历史论文
地理论文 信息技术 班主任
音乐论文 体育论文 劳技论文
自然论文 德育管理 农村教育
素质教育 三个代表 旅游管理
国际贸易 哲学论文 工商管理
证券金融 社会学 审计论文
会计论文 建筑论文 电力论文
水利论文 园林景观 农林学
中医学 西医学 心理学
公安论文 法学法律 思想汇报
法律文书 总结报告 演讲稿
物业管理 经济学 论文指导
计算机 护理论文 社会调查
军事论文 化工论文 财政税收
保险论文 物流论文 语言教育
教育教学 给水排水 暖通论文
结构论文 综合类别 硕士论文
博士论文    
 
 
退火条件对4H-SiC/SiO2 MOS电容特性的影响研究
 
     论文目录
 
摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
符号对照表第11-13页
缩略语对照表第13-16页
第一章 绪论第16-28页
    1.1 本文研究背景第16-19页
        1.1.1 SiC器件的优势第16-17页
        1.1.2 SiC半导体器件发展与市场化现状第17-18页
        1.1.3 SiC半导体器件的工艺的发展第18-19页
    1.2 SiO_2/SiC界面陷阱第19-22页
        1.2.1 SiO_2/SiC MOS结构中界面陷阱的构成第19-21页
        1.2.2 SiO_2/SiC界面态陷阱的成因第21-22页
    1.3 SiO_2/SiC界面质量提升方法的研究第22-26页
        1.3.1 SiC材料:晶向对界面特性的影响第22-24页
        1.3.2 氧化或氧化后退火工艺对界面特性的影响第24-26页
    1.4 本文的主要工作第26-28页
第二章 SiC MOS电容的表征方法研究第28-46页
    2.1 MOS电容的I-V测试第28-32页
        2.1.1 MOS漏电机理第28-30页
        2.1.2 I-V测试提取击穿场强与势垒高度第30-32页
    2.2 SiC MOS的C-V特性第32-33页
    2.3 用C-V数据提取平带电压第33-34页
    2.4 利用C-V提取氧化层陷阱密度N_(ot)与近界面氧化层陷阱密度N_(iot)第34-35页
    2.5 SiC MOS界面态密度的提取第35-46页
        2.5.1 高频法(Terman法)第35-37页
        2.5.2 高频—准静态法第37-40页
        2.5.3 电导法第40-42页
        2.5.4 D_(it)与E_c-E_(it)的对应关系第42-46页
第三章 4H-SiC MOS电容的制备和结构测试第46-52页
    3.1 试验样品的制备第46-47页
        3.1.1 衬底清洗第46页
        3.1.2 外延生长与掺杂第46页
        3.1.3 衬底氧化第46页
        3.1.4 氧化后退火第46-47页
        3.1.5 电极制作第47页
    3.2 样品物理结构测试第47-52页
        3.2.1 光谱椭偏仪测试第47-48页
        3.2.2 原子力显微镜(AFM)测试第48-49页
        3.2.3 二次离子质谱(SIMS)测试第49-52页
第四章 4H-SiC MOS电容的电学特性测试与分析第52-58页
    4.1 I-V测试第52-53页
        4.1.2 半导体材料与氧化绝缘层之间的势垒高度F_b的提取第52-53页
    4.2 高频C-V,G-V与电导测试第53-58页
        4.2.1 C-V曲线提取平带电压V_(fb)和氧化层陷阱密度N_(ot)以及近界面氧化层陷阱密度N_(iot)第53-55页
        4.2.2 用电导法提取界面态密度D_(it)第55-58页
第五章 4H-SiC MOS电容的电压应力可靠性测试与高温测试第58-66页
    5.1 电压应力测试第58-61页
        5.1.1 电压应力测试实验介绍第58页
        5.1.2 电压应力测试结果与分析第58-61页
    5.2 高温测试第61-66页
        5.2.1 高温测试实验介绍第61页
        5.2.2 高温测试结果与分析第61-66页
第六章 总结第66-68页
参考文献第68-72页
致谢第72-74页
作者简介第74-76页
附录A 高频C-V法提取界面态的Matlab程序第76-80页
附录B 高频-准静态法提取界面态密度Matlab程序第80-82页
附录C 电导法求界面态密度Matlab程序第82-84页

 
 
论文编号BS2546645,这篇论文共84
会员购买按0.35元/页下载,共需支付29.4元。        直接购买按0.5元/页下载,共需要支付42元 。
我还不是会员,注册会员
会员下载更优惠!充值送钱!
我只需要这篇,无需注册!
直接网上支付,方便快捷!
 您可能感兴趣的论文
版权申明:本目录由www.jylw.com网站制作,本站并未收录原文,如果您是作者,需要删除本篇论文目录请通过QQ或其它联系方式告知我们,我们承诺24小时内删除。
 
 
| 会员专区 | 在线购卡 | 广告服务 | 网站地图 |
版权所有 教育论文中心 Copyright(C) All Rights Reserved
联系方式: QQ:277865656 或写信给我