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液相沉积法制备TiO2/Si材料及其光催化性能 |
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| 中文摘要 | 第4-6页 | | Abstract | 第6-7页 | | 第一章 序言 | 第10-30页 | | 1.1 研究背景 | 第10-11页 | | 1.2 TiO_2光催化剂 | 第11-15页 | | 1.2.1 TiO_2的晶体结构 | 第11-12页 | | 1.2.2 TiO_2的光催化原理 | 第12-14页 | | 1.2.3 TiO_2光催化性能的主要影响因素 | 第14-15页 | | 1.3 TiO_2薄膜的制备方法 | 第15-17页 | | 1.3.1 化学气相沉积法 | 第15-16页 | | 1.3.2 磁控溅射法 | 第16页 | | 1.3.3 溶胶-凝胶法 | 第16-17页 | | 1.3.4 液相沉积法 | 第17页 | | 1.4 光催化效率的改善方法 | 第17-23页 | | 1.4.1 贵金属沉积 | 第18-19页 | | 1.4.2 离子掺杂 | 第19-20页 | | 1.4.3 染料敏化 | 第20-21页 | | 1.4.4 半导体复合 | 第21-23页 | | 1.5 太阳级（SoG）硅片简介 | 第23-29页 | | 1.5.1 硅的制绒 | 第23-25页 | | 1.5.2 黑硅 | 第25-27页 | | 1.5.3 硅片PN结的制备 | 第27-29页 | | 1.6 本文的研究意义和主要内容 | 第29-30页 | | 第二章 液相沉积法制备TiO_2薄膜及表征方法 | 第30-41页 | | 2.1 液相沉积法简介 | 第30-32页 | | 2.2 实验部分 | 第32-35页 | | 2.2.1 实验材料与仪器 | 第32-33页 | | 2.2.2 基片准备 | 第33页 | | 2.2.3 基片的清洗 | 第33-34页 | | 2.2.4 沉积液的制备 | 第34页 | | 2.2.5 薄膜的制备 | 第34-35页 | | 2.2.6 薄膜的热处理 | 第35页 | | 2.3 表征方法 | 第35-41页 | | 2.3.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第35-36页 | | 2.3.2 膜厚和折射率的测量 | 第36页 | | 2.3.3 水接触角的测量 | 第36-37页 | | 2.3.4 X射线衍射仪 | 第37页 | | 2.3.5 D8反射仪 | 第37-38页 | | 2.3.6 X射线能量色散谱仪（EDS） | 第38-39页 | | 2.3.7 少子寿命的测量 | 第39-40页 | | 2.3.8 光催化性能的表征 | 第40-41页 | | 第三章 液相沉积法中各参数对TiO_2薄膜的影响 | 第41-51页 | | 3.1 (NH_4)_2TiF_6浓度的影响 | 第41-42页 | | 3.2 (NH_4)_2TiF_6和H_3BO_3浓度比的影响 | 第42-43页 | | 3.3 反应温度的影响 | 第43-45页 | | 3.4 反应时间的影响 | 第45-46页 | | 3.5 不同厚度TiO_2薄膜的反射率 | 第46页 | | 3.6 热处理温度的影响 | 第46-50页 | | 3.7 本章小结 | 第50-51页 | | 第四章 TiO_2/Si薄膜的光催化性能 | 第51-64页 | | 4.1 薄膜形貌表征 | 第52-58页 | | 4.1.1 SEM图分析 | 第52-54页 | | 4.1.2 成膜前后的反射率 | 第54-55页 | | 4.1.3 接触角的对比 | 第55-57页 | | 4.1.4 XRD图谱分析 | 第57-58页 | | 4.2 光催化性能对比 | 第58-62页 | | 4.2.1 全光谱光催化性能的对比 | 第58-59页 | | 4.2.2 可见光光催化性能对比 | 第59页 | | 4.2.3 光催化性能的物理机理 | 第59-62页 | | 4.2.4 薄膜的稳定性研究 | 第62页 | | 4.3 本章小结 | 第62-64页 | | 第五章 总结 | 第64-66页 | | 参考文献 | 第66-71页 | | 攻读硕士学位期间公开发表的论文及科研成果 | 第71-72页 | | 致谢 | 第72-73页 |
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论文编号BS2849945，这篇论文共73页
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