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二极管:按结构和性能分论文

基于CMOS工艺单光子雪崩二极管及外围电路的研究

摘要第3-5页
abstract第5-6页
注释表第10-11页
第1章 绪论第11-20页
    1.1 研究背景及意义第11-14页
    1.2 国内外研究现状第14-15页
    1.3 单光子探测器的应用第15-18页
        1.3.1 成像技术中的应用第15-16页
        1.3.2 经典光通信中的应用第16-17页
        1.3.3 量子技术中的应用第17-18页
    1.4 论文研究内容和组织结构第18-20页
        1.4.1 论文研究内容第18页
        1.4.2 论文组织结构第18-20页
第2章 单光子探测相关理论第20-37页
    2.1 pn结的基本性质第20-23页
    2.2 SPAD的倍增效应和工作模式第23-29页
        2.2.1 雪崩倍增效应第23-26页
        2.2.2 SPAD工作模式第26-29页
    2.3 单光子探测的主要性能参数第29-34页
        2.3.1 响应度第29-30页
        2.3.2 量子效率第30-31页
        2.3.3 探测效率第31-32页
        2.3.4 暗计数率第32-33页
        2.3.5 死时间第33-34页
    2.4 SPAD的外围电路第34-36页
        2.4.1 外围淬灭电路第34-36页
        2.4.2 外围计数电路第36页
    2.5 本章小结第36-37页
第3章 CMOS SPAD的设计与分析第37-47页
    3.1 传统结构的SPAD器件第38-40页
    3.2 SPAD器件的保护环结构第40-41页
    3.3 SPAD器件结构的整体设计第41-43页
    3.4 SPAD的性能分析第43-46页
        3.4.1 电场分布第43页
        3.4.2 I-V特性第43-44页
        3.4.3 响应度第44页
        3.4.4 探测效率第44-45页
        3.4.5 暗计数率第45-46页
    3.5 本章小结第46-47页
第4章 CMOS SPAD的优化设计与分析第47-60页
    4.1 SPAD器件结构的优化设计第47-48页
    4.2 优化设计的SPAD性能分析第48-59页
        4.2.1 电场分布第48-50页
        4.2.2 I-V特性第50-54页
        4.2.3 响应度第54-55页
        4.2.4 探测效率第55-57页
        4.2.5 暗计数率第57-59页
    4.3 本章小结第59-60页
第5章 CMOS SPAD的外围电路设计第60-69页
    5.1 SPAD器件等效电路的设计第60-63页
    5.2 外围淬灭电路的设计分析第63-66页
        5.2.1 无源淬灭电路的工作原理第63-65页
        5.2.2 无源淬灭电路的设计与仿真分析第65-66页
    5.3 外围计数电路的设计分析第66-68页
        5.3.1 数字计数器的设计与仿真分析第66-68页
    5.4 本章小结第68-69页
第6章 总结与展望第69-71页
    6.1 全文工作总结第69-70页
    6.2 工作展望第70-71页
参考文献第71-76页
致谢第76-77页
攻读硕士学位期间取得的成果第77页
单光子雪崩二极管论文 探测效率论文
论文编号BS3163195,这篇论文共77
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