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GaN/InN核壳纳米线和Cu互连线在外场下的表/界面效应
 
     论文目录
 
摘要第4-6页
ABSTRACT第6-8页
第1章 绪论第11-29页
    1.1 半导体纳米线第11-23页
        1.1.1 GaN 和InN 及其异质结构纳米线的制备方法第11-13页
        1.1.2 调节半导体纳米线性能的方法第13-18页
        1.1.3 GaN 和InN 及其合金的应用第18-23页
    1.2 Cu 互连线第23-28页
        1.2.1 Cu 互连线的研究现状第23-25页
        1.2.2 自发形成的Al_2O_3膜对Cu 互连线性能的改善第25-27页
        1.2.3 Cu/Al_2O_3界面的研究第27-28页
    1.3 本文研究内容第28-29页
第2章 计算机模拟方法第29-37页
    2.1 计算方法第29-32页
    2.2 GaN 和InN 的晶体结构和能带结构第32-36页
    2.3 在Dmol~3模块中电场的计算第36-37页
第3章 表面修饰对GaN/InN 核壳纳米线性能的影响第37-49页
    3.1 引言第37-38页
    3.2 计算方法第38-40页
    3.3 结果与讨论第40-47页
    3.4 小结第47-49页
第4章 内外应变对GaN/InN 核壳纳米线性能的影响第49-61页
    4.1 引言第49-50页
    4.2 计算方法第50-52页
    4.3 结果和讨论第52-60页
    4.4 小结第60-61页
第5章 Al 掺杂和Al_2O_3界面技术改善Cu 薄膜电迁移稳定性第61-71页
    5.1 引言第61-62页
    5.2 计算方法第62-63页
    5.3 结果和讨论第63-69页
    5.4 小结第69-71页
第6章 结论第71-73页
参考文献第73-100页
攻博期间发表的学术论文第100-101页
致谢第101页

 
 
论文编号BS3503795,这篇论文共101
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