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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--LPCVD技术制备的BZO薄膜及其在非晶硅薄膜太阳能电池中的应用
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LPCVD技术制备的BZO薄膜及其在非晶硅薄膜太阳能电池中的应用
 
     论文目录
 
摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-17页
    1.1 前言第9-10页
    1.2 ZnO概述第10-13页
        1.2.1 ZnO的基本性质第10-11页
        1.2.2 ZnO光学特性第11-12页
        1.2.3 ZnO的电学特性第12-13页
        1.2.4 ZnO的压电气敏特性第13页
    1.3 ZnO-TCO的研究现状及其制备技术第13-16页
        1.3.1 TCO透明导电氧化物的研究现状第13-14页
        1.3.2 ZnO-TCO薄膜的制备主流技术第14-16页
    1.4 论文的主要内容和结构安排第16-17页
第2章 实验方法和分析测试技术第17-25页
    2.1 LPCVD设备系统组成及原理第17-18页
    2.2 实验设备及工作原理第18-21页
        2.2.1 实验设备第18-20页
        2.2.2 LPCVD-BZO薄膜的生长机理第20-21页
    2.3 BZO薄膜的表征第21-25页
        2.3.1 扫描电子显微镜(SEM)第21-22页
        2.3.2 霍尔测试(Hall)第22-23页
        2.3.3 Perkin-Elmer 750分光光度计第23-24页
        2.3.4 电流一电压(I-V)测试第24-25页
第3章 LPCVD沉积制备BZO透明导电薄膜及其性能的研究第25-43页
    3.1 引言第25页
    3.2 沉积时间对ZnO薄膜特性的影响第25-31页
        3.2.1 微观形貌第26-27页
        3.2.2 导电性能第27-28页
        3.2.3 光学减反性能第28-30页
        3.2.4 本节总结第30-31页
    3.3 不同B_2H_6掺杂流量对ZnO薄膜特性的影响第31-36页
        3.3.1 微观形貌第31-32页
        3.3.2 光学和电学性能第32-35页
        3.3.3 本节总结第35-36页
    3.4 不同条件下退火对BZO薄膜特性的影响第36-43页
        3.4.1 不同退火时间对BZO薄膜光学电学性能的影响第37-39页
        3.4.2 不同退火温度对BZO薄膜光学电学性能的影响第39-40页
        3.4.3 不同退火气氛对BZO薄膜光学电学性能的影响第40-42页
        3.4.4 本节总结第42-43页
第4章 LPCVD法在不同衬底上制备ZnO:B薄膜及电池性能的研究第43-56页
    4.1 引言第43页
    4.2 PI衬底柔性透明硅薄膜太阳能电池的制备及性能第43-49页
        4.2.1 BZO薄膜的微观形貌第45页
        4.2.2 BZO薄膜的透光性能第45-46页
        4.2.3 BZO薄膜的电学性能第46-47页
        4.2.4 PI衬底a-Si:H薄膜太阳能电池性能第47-48页
        4.2.5 本节小结第48-49页
    4.3 柔性玻璃衬底ZnO:B薄膜的制备及电池性能的研究第49-56页
        4.3.1 实验条件第49-50页
        4.3.2 BZO薄膜的微观形貌第50页
        4.3.3 BZO薄膜的光学性能和电学性能第50-52页
        4.3.4 性玻璃衬a-Si:H薄膜太阳能电池性能第52-55页
        4.3.5 本节小结第55-56页
第5章 总结第56-58页
致谢第58-59页
参考文献第59-65页
攻读学位期间的研究成果第65页

 
 
论文编号BS3915095,这篇论文共65
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