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当前位置:教育论文中心首页--博士论文--基于有机金属卤化物钙钛矿MOS电容特性研究
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基于有机金属卤化物钙钛矿MOS电容特性研究
 
     论文目录
 
摘要第5-8页
ABSTRACT第8-11页
符号对照表第17-18页
缩略语对照表第18-22页
第一章 绪论第22-34页
    1.1 研究背景第22-23页
    1.2 有机金属卤化物钙钛矿介绍第23-28页
        1.2.1 有机金属卤化物钙钛矿材料特性第23-24页
        1.2.2 有机金属卤化物钙钛矿基光电器件介绍第24-28页
    1.3 有机金属卤化物钙钛矿目前存在的问题第28-30页
        1.3.1 迁移率和稳定性问题第28-29页
        1.3.2 钙钛矿内部可移动离子问题第29-30页
    1.4 本文主要工作第30-34页
第二章 钙钛矿及钙钛矿MOS电容探测器的制备与表征第34-52页
    2.1 钙钛矿及钙钛矿MOS电容的制备第34-36页
    2.2 钙钛矿薄膜材料表征第36-42页
        2.2.1 扫描电子显微镜(SEM)第36-37页
        2.2.2 X射线衍射谱(XRD)第37-38页
        2.2.3 光致发光谱(PL)第38-40页
        2.2.4 紫外可见吸收光谱(Ultraviolet Visible Absorption Spectrum)第40-41页
        2.2.5 射线光电子能谱(XPS)第41-42页
    2.3 钙钛矿MOS电容探测器表征第42-47页
        2.3.1 钙钛矿MOS电容器件介绍第42-44页
        2.3.2 钙钛矿MOS电容界面特性分析第44-45页
        2.3.3 钙钛矿MOS电容电荷输运机制分析第45-46页
        2.3.4 钙钛矿MOS电容光电探测器主要参数第46-47页
    2.4 本章小结第47-52页
第三章 钙钛矿MOS器件中的离子特性研究第52-64页
    3.1 钙钛矿MOS电容的制备与电学模型第53-55页
    3.2 钙钛矿MOS电容的电学特性测试第55-60页
    3.3 离子对钙钛矿MOS电容电学特性影响表征第60-63页
    3.4 本章小结第63-64页
第四章 有无PCBM的掺杂对钙钛矿MOS电容的影响研究第64-74页
    4.1 实验样品制备与材料表征第64-65页
    4.2 掺杂PCBM对钙钛矿MOS电容界面特性影响研究第65-70页
    4.3 掺杂PCBM对钙钛矿MOS电容电荷输运机制影响研究第70-72页
    4.4 本章小结第72-74页
第五章 钙钛矿基MOS电容探测器制备与特性研究第74-96页
    5.1 钙钛矿基MOS隧穿电容的制备第74-76页
    5.2 钙钛矿基MOS隧穿电容的电学特性研究第76-80页
    5.3 钙钛矿基MOS电容探测器的电学特性研究第80-84页
    5.4 钙钛矿基MOS电容探测器的电流输运机制研究第84-89页
    5.5 钙钛矿基MIS电容探测器制备与特性研究第89-93页
        5.5.1 钙钛矿MIS电容制备和测试第90页
        5.5.2 钙钛矿MIS电容的XPS特性表征第90-93页
    5.6 本章小结第93-96页
第六章 总结与展望第96-100页
    6.1 总结第96-99页
    6.2 不足与展望第99-100页
参考文献第100-110页
致谢第110-112页
作者简介第112-116页

 
 
论文编号BS4145195,这篇论文共116
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