| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 功率VDMOS器件重要性 | 第15-16页 |
| 1.2 功率VDMOS市场应用及需求 | 第16-17页 |
| 1.3 多晶硅刻蚀对功率VDMOS器件关键参数Vth和 I_(GSS)影响 | 第17-21页 |
| 1.3.1 VDMOS功率器件的工作原理 | 第17-19页 |
| 1.3.2 多晶硅刻蚀对关键参数阈值电压Vth影响 | 第19-20页 |
| 1.3.3 多晶硅刻蚀对栅源电流I_(GSS)栅源反向电流I_(DSS)影响 | 第20-21页 |
| 1.4 论文的研究目标与章节安排 | 第21-23页 |
| 第二章 VDMOS器件中多晶硅干法刻蚀工艺应用及要求 | 第23-43页 |
| 2.1 VDMOS器件中多晶硅干法刻蚀膜层结构 | 第23-29页 |
| 2.1.1 衬底栅氧化层 | 第23-24页 |
| 2.1.2 多晶硅淀积及掺杂 | 第24-26页 |
| 2.1.3 多晶硅层光刻 | 第26-27页 |
| 2.1.4 干法刻蚀 | 第27-29页 |
| 2.2 多晶硅和硅刻蚀工艺及品质因素 | 第29-30页 |
| 2.2.1 多晶硅刻蚀过程 | 第29-30页 |
| 2.3 终点检测系统 | 第30-36页 |
| 2.3.1 多晶硅刻蚀工艺品质因素 | 第33-34页 |
| 2.3.2 选择比 | 第34-36页 |
| 2.4 AMATP5000 多晶硅干法刻蚀设备 | 第36-39页 |
| 2.4.1 AMATP5000 设备结构 | 第37-38页 |
| 2.4.2 AMATP5000 设备工作原理 | 第38-39页 |
| 2.5 测试仪器 | 第39-43页 |
| 2.5.1 光学显微镜 | 第39-40页 |
| 2.5.2 Hitachi扫描电镜 | 第40-43页 |
| 第三章 VDMOS器件多晶硅刻蚀不净问题影响及优化 | 第43-55页 |
| 3.1 多晶硅刻蚀不净对IGSS参数影响 | 第43-44页 |
| 3.2 VDMOS多晶硅刻蚀不净优化实验设计 | 第44-53页 |
| 3.2.1 多晶硅各关键参数作用和实验方向预设 | 第44-45页 |
| 3.2.2 正交实验设计 | 第45-46页 |
| 3.2.3 正交实验结果及分析 | 第46-50页 |
| 3.2.4 正交实验最优工艺参数单项工艺验证 | 第50-51页 |
| 3.2.5 新菜单稳定性及批量验证 | 第51-53页 |
| 3.3 本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 VDMOS器件多晶硅刻蚀角度提升优化 | 第55-71页 |
| 4.1 多晶硅刻蚀角度与阈值电压Vth参数的相关性 | 第55-58页 |
| 4.2 多晶硅刻蚀角度稳定性控制 | 第58-61页 |
| 4.2.1 工艺转换对多晶硅角度的影响 | 第58-60页 |
| 4.2.2 机台冷待机对多晶硅角度的影响 | 第60-61页 |
| 4.3 多晶硅刻蚀角度的提升实验 | 第61-70页 |
| 4.3.1 下电极温度对poly角度影响 | 第63-65页 |
| 4.3.2 SF_6 气体对多晶硅角度的影响 | 第65-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 总结 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 作者简介 | 第77-78页 |
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