| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 文献综述 | 第10-32页 |
| §1.1 GaAs材料的结构、特点及应用 | 第10-15页 |
| ·前言 | 第10页 |
| ·GaAs材料的结构 | 第10-12页 |
| ·GaAs材料的性质 | 第12-13页 |
| ·GaAs材料的应用 | 第13-14页 |
| ·SI-GaAs材料的特性 | 第14-15页 |
| §1.2 SI-GaAs技术的发展及重要性 | 第15-17页 |
| §1.3 国内外SI-GaAs晶体研究的热点问题 | 第17-25页 |
| ·SI-GaAs晶体中的点缺陷 | 第17-18页 |
| ·SI-GaAs晶体中位错的研究 | 第18-21页 |
| ·SI-GaAs单晶中胞状结构和系属结构的研究 | 第21-23页 |
| ·SI-GaAs单晶中位错的电活性问题 | 第23-25页 |
| §1.4 研究SI-GaAs晶体中微缺陷与杂质的重要意义 | 第25-30页 |
| ·SI-GaAs中单晶中微缺陷的研究现状 | 第25-28页 |
| ·SI-GaAs单晶中主要杂质的研究现状 | 第28-29页 |
| ·研究SI-GaAs单晶中微缺陷与杂质的重要意义 | 第29-30页 |
| §1.5 本论文的主要研究内容 | 第30-32页 |
| 第二章 SI-GaAs单晶的生长工艺 | 第32-37页 |
| §2.1 GaAs单晶的生长 | 第32-35页 |
| ·LEC技术 | 第32-33页 |
| ·VGF/VB技术 | 第33-34页 |
| ·其它生长技术 | 第34-35页 |
| §2.2 SI-GaAs单晶的生长 | 第35-37页 |
| 第三章 SI-GaAs单晶中的位错 | 第37-58页 |
| §3.1 SI-GaAs单晶中位错的显示 | 第37-42页 |
| ·腐蚀机理 | 第37-38页 |
| ·实验过程 | 第38-39页 |
| ·实验结果 | 第39-42页 |
| §3.2 SI-GaAs单晶中的位错网络 | 第42-46页 |
| ·X射线透射形貌技术 | 第42-44页 |
| ·实验过程 | 第44-45页 |
| ·实验结果 | 第45-46页 |
| §3.3 SI-GaAs单晶中胞状结构的本质 | 第46-56页 |
| ·塑性变形的原因 | 第47-48页 |
| ·塑性变形第一阶段 | 第48-49页 |
| ·塑性变形第二阶段 | 第49-54页 |
| ·塑性变形第三阶段 | 第54-55页 |
| ·回复过程 | 第55-56页 |
| §3.4 小结 | 第56-58页 |
| 第四章 SI-GaAs单晶中的微缺陷 | 第58-70页 |
| §4.1 SI-GaAs单晶中微缺陷的观察 | 第58-67页 |
| ·透射电镜(TEM)技术 | 第58-62页 |
| ·SI-GaAs中微缺陷的TEM观察 | 第62页 |
| ·超声AB腐蚀SI-GaAs中微缺陷的显微观察 | 第62-64页 |
| ·SI-GaAs单晶中微缺陷与位错的相互作用 | 第64-65页 |
| ·其它因素引起的缺陷 | 第65-67页 |
| §4.2 SI-GaAs单晶中微缺陷的实质及形成 | 第67-69页 |
| ·微缺陷的实质 | 第67页 |
| ·微缺陷的形成 | 第67-69页 |
| §4.3 小结 | 第69-70页 |
| 第五章 SI-GaAs单晶中的杂质 | 第70-90页 |
| §5.1 LEC SI-GaAs中主要杂质及EL2缺陷 | 第70-77页 |
| ·As沉淀及其对EL2的影响 | 第70-72页 |
| ·EL2深施主缺陷 | 第72-74页 |
| ·碳杂质 | 第74-77页 |
| §5.2 LEC SI-GaAs中碳杂质的微区分布 | 第77-88页 |
| ·透射电镜能谱分析研究SI-GaAs单晶中碳的微区分布 | 第77-82页 |
| ·EPMA研究SI-GaAs单晶中碳的微区分布 | 第82-88页 |
| §5.3 小结 | 第88-90页 |
| 第六章 SI-GaAs衬底微缺陷对MESFET器件性能的影响 | 第90-101页 |
| §6.1 MESFET器件结构特性和制造工艺 | 第90-94页 |
| ·GaAs M ESFET器件结构 | 第90-92页 |
| ·MESFET器件的特性 | 第92-93页 |
| ·GaAs MESFET器件的制造工艺 | 第93-94页 |
| §6.2 LEC SI-GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件参数的影响 | 第94-100页 |
| ·LEC SI-GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件跨导的影响 | 第94-96页 |
| ·LEC SI-GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件饱和漏电流的影响 | 第96-97页 |
| ·LEC SI-GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件阈值电压的影响 | 第97-98页 |
| ·LEC SI-GaAs微缺陷对MESFET器件电学参数影响的分析 | 第98-100页 |
| §6.3 小结 | 第100-101页 |
| 第七章 结论 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-109页 |
| 致谢 | 第109-110页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第110页 |
广告服务 
