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当前位置:教育论文中心首页--博士论文--碳化硅和蓝宝石衬底二氧化锡外延薄膜的制备及特性研究
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碳化硅和蓝宝石衬底二氧化锡外延薄膜的制备及特性研究
 
     论文目录
 
摘要第1-13页
ABSTRACT第13-17页
符号表第17-19页
第一章 绪论第19-40页
 §1.1 概述第19-20页
 §1.2 SnO_2 薄膜的性质及应用第20-24页
     ·结构性质第20-21页
     ·光学性质第21-22页
     ·电学性质第22-24页
     ·SnO_2薄膜的应用第24页
 §1.3 SnO_2薄膜的制备方法第24-27页
 §1.4 SnO_2薄膜的研究现状第27-34页
 §1.5 研究课题的选取第34-36页
 本章参考文献第36-40页
第二章 实验设备及测试方法第40-52页
 §2.1 金属有机化学气相沉积(MOCVD)第40-46页
     ·MOCVD的原理及特点第40-41页
     ·MOCVD系统第41-43页
     ·本论文使用的MOCVD系统第43-45页
     ·实验流程第45-46页
 §2.2 测试分析方法第46-51页
     ·薄膜厚度的测量第46-47页
     ·薄膜结构的分析方法第47-48页
     ·薄膜电学性质的测量第48-49页
     ·薄膜光学性质的测量第49-51页
 本章参考文献第51-52页
第三章 碳化硅衬底SnO_2薄膜的制备及性质研究第52-64页
 §3.1 碳化硅衬底的选取及氧化锡薄膜的制备第52-53页
 §3.2 SnO_2 薄膜的成分分析第53-54页
 §3.3 衬底温度对SnO_2薄膜结构性质的影响第54-56页
 §3.4 SnO_2薄膜的外延取向及微观结构第56-60页
 §3.5 SnO_2薄膜的电学和光学性质第60-63页
 本章参考文献第63-64页
第四章 蓝宝石衬底SnO_2薄膜的制备及性质研究第64-92页
 §4.1 蓝宝石衬底的选取及介绍第64-65页
 §4.2 R面蓝宝石衬底SnO_2 薄膜的性质研究第65-75页
     ·衬底温度对SnO_2薄膜结构性质的影响第65-70页
     ·衬底温度对SnO_2薄膜电学性质的影响第70-71页
     ·衬底温度对Sn02薄膜光学性质的影响第71-75页
 §4.3 A面蓝宝石衬底SnO_2薄膜的性质研究第75-82页
     ·X射线衍射分析第75-77页
     ·微结构分析第77-82页
 §4.4 M面蓝宝石衬底SnO_2薄膜的性质研究第82-87页
     ·SnO_2薄膜的结构及外延取向第82-85页
     ·SnO_2薄膜的光学性质第85-87页
 §4.5 SnO_2薄膜在蓝宝石衬底上外延生长的结构模型第87-90页
 本章参考文献第90-92页
第五章 Sb掺杂SnO_2薄膜的制备及性质研究第92-110页
 §5.1 SnO_2:Sb薄膜的制备第92-93页
 §5.2 R面蓝宝石衬底上SnO_2 :Sb薄膜的性质研究第93-102页
     ·掺杂浓度对薄膜结构性质的影响第93-98页
     ·掺杂浓度对薄膜电学性质的影响第98-101页
     ·掺杂浓度对薄膜光学性质的影响第101-102页
 §5.3 碳化硅衬底上SnO_2:Sb薄膜的性质研究第102-109页
     ·掺杂浓度对薄膜结构性质的影响第102-106页
     ·掺杂浓度对薄膜电学性质的影响第106-109页
 本章参考文献第109-110页
第六章 结论第110-112页
博士期间发表论文目录第112-115页
致谢第115-116页
Paper 1第116-127页
Paper 2第127-138页
学位论文评阅及答辩情况表第138页

 
 
论文编号BS1793896,这篇论文共138
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