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碳化硅和蓝宝石衬底二氧化锡外延薄膜的制备及特性研究 |
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论文目录 |
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摘要 | 第1-13页 | ABSTRACT | 第13-17页 | 符号表 | 第17-19页 | 第一章 绪论 | 第19-40页 | §1.1 概述 | 第19-20页 | §1.2 SnO_2 薄膜的性质及应用 | 第20-24页 | ·结构性质 | 第20-21页 | ·光学性质 | 第21-22页 | ·电学性质 | 第22-24页 | ·SnO_2薄膜的应用 | 第24页 | §1.3 SnO_2薄膜的制备方法 | 第24-27页 | §1.4 SnO_2薄膜的研究现状 | 第27-34页 | §1.5 研究课题的选取 | 第34-36页 | 本章参考文献 | 第36-40页 | 第二章 实验设备及测试方法 | 第40-52页 | §2.1 金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第40-46页 | ·MOCVD的原理及特点 | 第40-41页 | ·MOCVD系统 | 第41-43页 | ·本论文使用的MOCVD系统 | 第43-45页 | ·实验流程 | 第45-46页 | §2.2 测试分析方法 | 第46-51页 | ·薄膜厚度的测量 | 第46-47页 | ·薄膜结构的分析方法 | 第47-48页 | ·薄膜电学性质的测量 | 第48-49页 | ·薄膜光学性质的测量 | 第49-51页 | 本章参考文献 | 第51-52页 | 第三章 碳化硅衬底SnO_2薄膜的制备及性质研究 | 第52-64页 | §3.1 碳化硅衬底的选取及氧化锡薄膜的制备 | 第52-53页 | §3.2 SnO_2 薄膜的成分分析 | 第53-54页 | §3.3 衬底温度对SnO_2薄膜结构性质的影响 | 第54-56页 | §3.4 SnO_2薄膜的外延取向及微观结构 | 第56-60页 | §3.5 SnO_2薄膜的电学和光学性质 | 第60-63页 | 本章参考文献 | 第63-64页 | 第四章 蓝宝石衬底SnO_2薄膜的制备及性质研究 | 第64-92页 | §4.1 蓝宝石衬底的选取及介绍 | 第64-65页 | §4.2 R面蓝宝石衬底SnO_2 薄膜的性质研究 | 第65-75页 | ·衬底温度对SnO_2薄膜结构性质的影响 | 第65-70页 | ·衬底温度对SnO_2薄膜电学性质的影响 | 第70-71页 | ·衬底温度对Sn02薄膜光学性质的影响 | 第71-75页 | §4.3 A面蓝宝石衬底SnO_2薄膜的性质研究 | 第75-82页 | ·X射线衍射分析 | 第75-77页 | ·微结构分析 | 第77-82页 | §4.4 M面蓝宝石衬底SnO_2薄膜的性质研究 | 第82-87页 | ·SnO_2薄膜的结构及外延取向 | 第82-85页 | ·SnO_2薄膜的光学性质 | 第85-87页 | §4.5 SnO_2薄膜在蓝宝石衬底上外延生长的结构模型 | 第87-90页 | 本章参考文献 | 第90-92页 | 第五章 Sb掺杂SnO_2薄膜的制备及性质研究 | 第92-110页 | §5.1 SnO_2:Sb薄膜的制备 | 第92-93页 | §5.2 R面蓝宝石衬底上SnO_2 :Sb薄膜的性质研究 | 第93-102页 | ·掺杂浓度对薄膜结构性质的影响 | 第93-98页 | ·掺杂浓度对薄膜电学性质的影响 | 第98-101页 | ·掺杂浓度对薄膜光学性质的影响 | 第101-102页 | §5.3 碳化硅衬底上SnO_2:Sb薄膜的性质研究 | 第102-109页 | ·掺杂浓度对薄膜结构性质的影响 | 第102-106页 | ·掺杂浓度对薄膜电学性质的影响 | 第106-109页 | 本章参考文献 | 第109-110页 | 第六章 结论 | 第110-112页 | 博士期间发表论文目录 | 第112-115页 | 致谢 | 第115-116页 | Paper 1 | 第116-127页 | Paper 2 | 第127-138页 | 学位论文评阅及答辩情况表 | 第138页 |
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