| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第1章 引言 | 第11-34页 |
| 1.1 空间辐射环境 | 第11-16页 |
| 1.1.1 地球辐射带 | 第12-14页 |
| 1.1.2 太阳高能粒子事件 | 第14-15页 |
| 1.1.3 银河宇宙射线 | 第15-16页 |
| 1.2 空间辐射效应 | 第16-22页 |
| 1.2.1 总剂量效应 | 第16-17页 |
| 1.2.2 单粒子效应 | 第17-22页 |
| 1.3 SRAM与 FRAM器件简介 | 第22-27页 |
| 1.3.1 SRAM器件简介 | 第22-25页 |
| 1.3.2 FRAM器件简介 | 第25-27页 |
| 1.4 SRAM与 FRAM器件的辐射效应研究现状 | 第27-32页 |
| 1.4.1 SRAM器件的辐射效应研究现状 | 第29-30页 |
| 1.4.2 FRAM器件的辐射效应研究现状 | 第30-32页 |
| 1.5 本文的研究内容 | 第32-34页 |
| 第2章 实验介绍 | 第34-45页 |
| 2.1 兰州重离子加速器 | 第34-36页 |
| 2.2 60Coγ 射线源 | 第36-38页 |
| 2.3 待测器件 | 第38-41页 |
| 2.4 测试系统 | 第41-45页 |
| 第3章 SRAM器件单粒子与总剂量的协同效应研究 | 第45-65页 |
| 3.1 γ 射线辐照对SRAM器件性能参数的影响 | 第45-50页 |
| 3.1.1 实验条件 | 第45-46页 |
| 3.1.2 实验结果 | 第46-48页 |
| 3.1.3 分析讨论 | 第48-50页 |
| 3.2 SEE测试模式对SRAM器件SEU截面的影响 | 第50-53页 |
| 3.2.1 实验条件 | 第50-51页 |
| 3.2.2 实验结果 | 第51页 |
| 3.2.3 分析讨论 | 第51-53页 |
| 3.3 γ 射线辐照对SRAM器件SEU敏感性的影响 | 第53-58页 |
| 3.3.1 实验条件 | 第53页 |
| 3.3.2 实验结果 | 第53-55页 |
| 3.3.3 分析讨论 | 第55-58页 |
| 3.4 LET值对SRAM器件SEU敏感性的影响 | 第58-61页 |
| 3.4.1 实验条件 | 第58-59页 |
| 3.4.2 实验结果 | 第59-60页 |
| 3.4.3 分析讨论 | 第60-61页 |
| 3.5 γ 射线辐照对SRAM器件多位翻转的影响 | 第61-63页 |
| 3.5.1 实验条件 | 第61页 |
| 3.5.2 实验结果 | 第61-63页 |
| 3.5.3 分析讨论 | 第63页 |
| 3.6 小结 | 第63-65页 |
| 第4章 FRAM器件单粒子与总剂量的协同效应研究 | 第65-81页 |
| 4.1 γ 射线辐照对FRAM器件性能参数的影响 | 第65-68页 |
| 4.1.1 实验设计 | 第65页 |
| 4.1.2 实验结果 | 第65-67页 |
| 4.1.3 分析讨论 | 第67-68页 |
| 4.2 重离子引起的FRAM器件中的错误类型 | 第68-74页 |
| 4.2.1 实验条件 | 第68-70页 |
| 4.2.2 实验结果 | 第70-73页 |
| 4.2.3 分析讨论 | 第73-74页 |
| 4.3 γ 射线辐照对FRAM器件动态单粒子事件敏感性的影响 | 第74-78页 |
| 4.3.1 实验条件 | 第74-75页 |
| 4.3.2 实验结果 | 第75-76页 |
| 4.3.3 分析讨论 | 第76-78页 |
| 4.4 γ 射线辐照对FRAM器件静态单粒子事件敏感性的影响 | 第78-80页 |
| 4.4.1 实验条件 | 第78-79页 |
| 4.4.2 实验结果 | 第79页 |
| 4.4.3 分析讨论 | 第79-80页 |
| 4.5 小结 | 第80-81页 |
| 第5章 TCAD模拟重离子对FRAM器件存储单元的影响研究 | 第81-87页 |
| 5.1 TCAD软件简介 | 第81-82页 |
| 5.2 1T/1C模型的参数设置 | 第82-83页 |
| 5.3 模拟结果 | 第83-84页 |
| 5.4 分析讨论 | 第84-85页 |
| 5.5 小结 | 第85-87页 |
| 第6章 结论与展望 | 第87-90页 |
| 6.1 主要结论 | 第87-89页 |
| 6.2 下一步工作计划 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-101页 |
| 致谢 | 第101-103页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第103-104页 |
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