中文摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
第一章 绪论 | 第10-22页 |
·金属铜及其缓蚀作用的研究现状 | 第10-12页 |
·铜的应用概况 | 第10页 |
·铜缓蚀作用的研究现状 | 第10-12页 |
·有关缓蚀剂的研究方法 | 第12-18页 |
·电化学交流阻抗谱 | 第12-14页 |
·电化学交流阻抗谱的基本原理 | 第12-13页 |
·电化学交流阻抗谱在金属腐蚀科学研究中的应用 | 第13-14页 |
·表面增强拉曼散射 | 第14-17页 |
·拉曼散射和表面增强拉曼散射的基本原理 | 第14-15页 |
·表面增强拉曼散射的特征及其局限性 | 第15-16页 |
·电化学现场拉曼光谱技术在金属腐蚀研究中的应用 | 第16-17页 |
·基于量子化学计算的定量构效关系研究方法概述 | 第17-18页 |
·分子自组装膜 | 第18-20页 |
·分子自组装膜的基本原理 | 第18-19页 |
·分子自组装膜在金属缓蚀中的应用 | 第19-20页 |
·本论文的研究意义和构思 | 第20-22页 |
·研究工作的创新性 | 第20-21页 |
·论文的构思 | 第21-22页 |
第二章 铜表面4,4’-二硫联吡啶单分子层的SERS 光谱及电化学研究 | 第22-36页 |
·引言 | 第22-23页 |
·实验部分 | 第23-24页 |
·仪器 | 第23页 |
·试剂 | 第23页 |
·方法 | 第23-24页 |
·结果与讨论 | 第24-35页 |
·铜电极的电化学预处理方法的选择 | 第24-25页 |
·4,4’-二硫联吡啶的常规拉曼光谱及其SAMs 的SERS 光谱 | 第25-27页 |
·pH 值对铜电极表面4,4’-二硫联吡啶SAMs 影响的SERS 光谱 | 第27-32页 |
·电位对铜电极表面4,4’-二硫联吡啶SAMs 的影响SERS 光谱 | 第32-34页 |
·铜电极表面4,4’-二硫联吡啶单分子层的电化学研究 | 第34-35页 |
·小结 | 第35-36页 |
第三章 L-谷氨酰胺在铜电极表面的电化学研究 | 第36-44页 |
·引言 | 第36页 |
·实验部分 | 第36-37页 |
·仪器 | 第36页 |
·试剂 | 第36-37页 |
·方法 | 第37页 |
·结果与讨论 | 第37-43页 |
·金属铜在不同环境下的开路电位 | 第37-39页 |
·铜电极表面L-谷氨酰胺以浸渍与自组装方式存在的交流阻抗谱 | 第39-40页 |
·铜电极在不同浓度下L-谷氨酰胺SAMs 的交流阻抗谱测量 | 第40-43页 |
·小结 | 第43-44页 |
第四章 氨基酸SAMs 对铜缓蚀作用的电化学与定量构效关系研究 | 第44-56页 |
·引言 | 第44-45页 |
·实验部分 | 第45-46页 |
·仪器 | 第45页 |
·试剂 | 第45页 |
·方法 | 第45-46页 |
·结果与讨论 | 第46-54页 |
·氨基酸SAMs 在铜电极上的电化学交流阻抗谱表征 | 第46-49页 |
·氨基酸缓蚀作用的定量构效关系研究 | 第49-54页 |
·氨基酸分子相关结构参数的计算及其选取 | 第49-50页 |
·支持向量机算法计算参数的选取 | 第50-52页 |
·氨基酸缓蚀作用的定量构效关系研究 | 第52-54页 |
·小结 | 第54-56页 |
参考文献 | 第56-63页 |
攻读学位期间的研究成果 | 第63-64页 |
致谢 | 第64页 |