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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--硅纳米孔柱阵列形成机理的研究
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硅纳米孔柱阵列形成机理的研究
 
     论文目录
 
摘要第1-4页
Abstract第4-8页
第一章 多孔硅的形成机理第8-21页
   ·多孔硅的制备及形貌第8-9页
   ·腐蚀机理的研究第9-16页
     ·Beale模型第9-13页
     ·Lehmann模型第13-16页
   ·多孔硅形成的计算机模拟第16-21页
     ·扩散限制模型第16-19页
     ·渝渗模型第19-21页
第二章 硅的各向异性腐蚀第21-28页
   ·硅各向异性腐蚀的过程第21-22页
   ·硅各向异性腐蚀的模拟方法第22-28页
     ·几何模型第23-24页
     ·原子模型第24-28页
第三章 Si-NPA的形成机理I-空穴必须模型第28-35页
   ·硅纳米孔柱阵列的制备及形貌第28-29页
   ·硅在HF溶液中的各向异性腐蚀第29-32页
   ·Si-NPA形成的物理模型-空穴必须模型第32-35页
第四章 基于空穴必须模型的计算机模拟第35-46页
   ·计算材料学的特点第35-36页
   ·蒙特卡罗方法第36-38页
   ·空穴辅助模型的计算机模拟第38-46页
     ·单晶硅的结构第38-40页
     ·计算机模型的确立第40-42页
     ·模拟结果及讨论第42-46页
第五章 Si-NPA的形成机理II-空穴辅助模型及计算机模拟第46-51页
   ·空穴辅助模型第46-47页
   ·改变溶液浓度研究形貌变化第47-48页
   ·计算机模拟算法第48-49页
   ·计算机模拟结果第49-51页
第六章 全文总结与展望第51-53页
参考文献第53-59页
致谢第59-60页
在攻读硕士学位期间发表的论文第60页

 
 
论文编号BS1422547,这篇论文共60
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