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当前位置:教育论文中心首页--博士论文--InAs/(In)GaSb超晶格的能带结构和器件设计研究
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InAs/(In)GaSb超晶格的能带结构和器件设计研究
 
     论文目录
 
摘要第1-5页
Abstract第5-14页
第1章 绪论第14-27页
   ·InAs/(In)GaSb 超晶格的研究背景第14-15页
   ·超晶格能带结构的理论计算方法第15-20页
   ·半导体超晶格对称性分析第20-22页
   ·[111]生长轴应变层超晶格第22-23页
   ·光电子探测元件第23-27页
第2章 第一性原理密度泛函理论第27-42页
   ·概述第27页
   ·理论第27-38页
     ·第一性原理的基本原理第27-28页
     ·电子之间的相互作用第28-29页
     ·密度泛函的基本理论第29-30页
     ·局域密度近似和广义梯度近似第30-31页
     ·GW 近似和屏蔽交换LDA第31-32页
     ·轨道交换相关泛函第32-34页
     ·密度泛函理论的扩展形式第34-38页
   ·第一性原理常用软件包第38-42页
第3章 InAs/InxGa1-xSb 超晶格的k·p 理论计算第42-63页
   ·应变对超晶格组成材料能带带边的调节作用第42-44页
   ·包络函数近似的8 带k·p 理论第44-48页
   ·计算结果与讨论第48-62页
   ·本章小结第62-63页
第4章 InAs/In_xGa_(1-x)Sb 超晶格的载流子俄歇寿命与结构优化第63-76页
   ·InAs/In_xGa_(1-x)Sb 超晶格的俄歇复合抑制和结构优化第63-68页
     ·引言第63-64页
     ·理论方法第64-65页
     ·结果与讨论第65-68页
   ·窄带隙超晶格载流子俄歇寿命和碰撞电离率第一性原理计算第68-75页
     ·引言第68-69页
     ·理论方法第69-71页
     ·计算结果与讨论第71-75页
   ·本章小结第75-76页
第5章 界面弛豫对InAs第76-89页
   ·引言第76-77页
   ·理论计算方法第77-78页
   ·结果与讨论第78-88页
     ·计算方法的考查第78-79页
     ·界面结构第79-83页
     ·能带结构第83-86页
     ·光吸收谱第86-88页
   ·本章小结第88-89页
第6章 InAs/GaSb 超晶格低维结构的能带结构和光电特性第89-140页
   ·InAs/GaSb 原子链超晶格第89-109页
     ·原子链的研究背景第89-92页
     ·计算方法与理论描述第92-94页
     ·结果与讨论第94-109页
   ·InAs/GaSb 纳米线超晶格第109-128页
     ·半导体纳米线的研究背景第110-112页
     ·计算方法与理论描述第112-115页
     ·结果与讨论第115-125页
     ·科学技术上的展望第125-128页
   ·InAs、In_xGa_(1-x)Sb 纳米管和InAs/In_xGa_(1-x)Sb 纳米管超晶格第128-138页
     ·III-V 族半导体纳米管异质结构的研究背景第128-129页
     ·理论计算方法第129页
     ·结果与讨论第129-138页
   ·本章小结第138-140页
第7章 InAs/In_xGa_(1-x)Sb 超晶格的器件设计与光电机制第140-162页
   ·InAs/In_xGa_(1-x)Sb 超晶格双色红外探测器设计及光电性能模拟第140-150页
     ·引言第140-141页
     ·器件设计第141-145页
     ·相关联的两个波段光电流的确定第145-147页
     ·50°倾斜侧壁面第147-148页
     ·光电响应模拟第148-150页
   ·低维半导体异质结的量子相干红外发射机制理论研究第150-160页
     ·引言第150-151页
     ·三能级跃迁机制第151-153页
     ·基本模型第153-157页
     ·红外发射频率第157-160页
   ·本章小结第160-162页
结论第162-164页
参考文献第164-192页
攻读学位期间发表的学术论文第192-194页
致谢第194-195页
个人简历第195页

 
 
论文编号BS1890747,这篇论文共195
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