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利用LPCVD法在SiC衬底上制备Ge晶须及机理分析 |
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| 摘要 | 第3-4页 | | 英文摘要 | 第4页 | | 1 绪论 | 第6-12页 | | 1.1 SiC衬底上Ge外延研究进展 | 第6-10页 | | 1.2 本论文主要工作内容 | 第10-12页 | | 2 SiC/Ge晶核形核过程与制备工艺 | 第12-22页 | | 2.1 晶核生长与形核过程 | 第12-13页 | | 2.2 晶核晶须生长理论 | 第13-14页 | | 2.3 影响形核生长的因素 | 第14页 | | 2.4 SiC/Ge晶核生长动力学过程 | 第14-15页 | | 2.5 晶核生长的热力学界面能理论 | 第15-17页 | | 2.6 LPCVD生长系统的组成与特点 | 第17-18页 | | 2.7 低压化学气相沉积法（LPCVD） | 第18-22页 | | 3 工艺条件对SiC/Ge晶须形貌的影响 | 第22-40页 | | 3.1 生长温度对SiC/Ge晶须形貌的影响 | 第22-28页 | | 3.2 生长时间对SiC/Ge晶须形貌的影响 | 第28-35页 | | 3.3 源气体流量比对SiC/Ge晶须形貌的影响 | 第35-40页 | | 4 SiC/Ge晶须的生长机理分析 | 第40-44页 | | 4.1 奥斯瓦尔多（Ostwald）吞并过程 | 第40-41页 | | 4.2 SiC/Ge晶须生长机制分析 | 第41-42页 | | 4.3 SiC/Ge晶核生长模式的分析 | 第42-44页 | | 5 结论 | 第44-46页 | | 致谢 | 第46-48页 | | 参考文献 | 第48-54页 | | 在校期间发表的论文及获奖情况 | 第54页 |
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论文编号BS3015347，这篇论文共54页
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