| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-36页 |
| ·引言 | 第17-18页 |
| ·碳纳米管 | 第18-23页 |
| ·碳纳米管机电耦合效应的研究进展 | 第19-21页 |
| ·碳纳米管电磁耦合的研究进展 | 第21-23页 |
| ·氮化硼纳米管 | 第23-28页 |
| ·氮化硼纳米管的基本性质 | 第23-24页 |
| ·氮化硼纳米管表面化学功能化及相关自旋磁性的研究进展 | 第24-26页 |
| ·氮化硼纳米管用于同轴器件的研究进展 | 第26-28页 |
| ·石墨烯 | 第28-31页 |
| ·石墨烯的基本性质 | 第28页 |
| ·石墨烯纳米带 | 第28-31页 |
| ·磁电效应的研究进展 | 第31-34页 |
| ·本文的主要研究工作和内容 | 第34-36页 |
| 第二章 理论与研究方法 | 第36-47页 |
| ·Born-Oppenheimer 近似与Hartree-Fork 近似 | 第36-39页 |
| ·密度泛函理论 | 第39-45页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第39-41页 |
| ·交换关联势：LDA 和GGA | 第41-42页 |
| ·平面波 | 第42-44页 |
| ·赝势 | 第44-45页 |
| ·VASP 程序包 | 第45-47页 |
| 第三章 碳纳米管力-电-磁耦合和氮化硼纳米带能隙的电场调制 | 第47-67页 |
| ·研究背景 | 第47-48页 |
| ·碳纳米管的力-电-磁耦合效应 | 第48-60页 |
| ·碳纳米管电子结构受力学变形、磁场作用的紧束缚求解理论 | 第48-51页 |
| ·碳纳米管电子态密度求解方法 | 第51-54页 |
| ·磁化系数的计算 | 第54-55页 |
| ·计算结果与讨论 | 第55-60页 |
| ·氮化硼纳米带能隙的电场调制 | 第60-65页 |
| ·计算模型与细节 | 第60页 |
| ·结果与讨论 | 第60-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第四章 氮化硼纳米管电性和磁性的物理力学调控 | 第67-100页 |
| ·小直径氮化硼纳米管的稳定性及电子性质 | 第67-76页 |
| ·研究背景 | 第67-68页 |
| ·模型与计算细节 | 第68-69页 |
| ·计算结果与讨论 | 第69-76页 |
| ·拓扑氟化的氮化硼纳米管的磁性质和机械调控性 | 第76-85页 |
| ·研究背景 | 第76-77页 |
| ·模型与计算细节 | 第77页 |
| ·计算结果与讨论 | 第77-85页 |
| ·碳纳米管@氮化硼纳米管同轴电缆研究 | 第85-90页 |
| ·研究背景 | 第85-86页 |
| ·模型与计算细节 | 第86页 |
| ·结果与讨论 | 第86-90页 |
| ·双壁氮化硼纳米管-同质功能纳米电缆 | 第90-98页 |
| ·研究背景 | 第90-91页 |
| ·模型与计算细节 | 第91页 |
| ·计算结果与讨论 | 第91-98页 |
| ·本章小结 | 第98-100页 |
| 第五章 石墨烯纳米带的磁电效应及其电性偏压调制 | 第100-127页 |
| ·研究背景 | 第100-101页 |
| ·计算模型与参数设置 | 第101-102页 |
| ·计算结果与讨论 | 第102-125页 |
| ·单层锯齿Z-GNR 吸附于Si(001)基底上的电子性质 | 第102-107页 |
| ·双层Z-GNR 吸附于硅基底上的磁电效应 | 第107-116页 |
| ·双层石墨烯纳米带吸附于硅基底上电性偏压调制 | 第116-120页 |
| ·单层Z-GNR 吸附引致的Si(111)表面磁性的力学调制 | 第120-125页 |
| ·本章小结 | 第125-127页 |
| 第六章 过渡金属萘三明治纳米线 | 第127-137页 |
| ·研究背景 | 第127-128页 |
| ·计算模型与细节 | 第128页 |
| ·结果与讨论 | 第128-136页 |
| ·三明治纳米线的基本性质击稳定性 | 第128-132页 |
| ·三明治纳米线磁序的电荷调制 | 第132-136页 |
| ·本章小结 | 第136-137页 |
| 第七章 全文总结与展望 | 第137-140页 |
| 参考文献 | 第140-162页 |
| 致谢 | 第162-164页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第164-167页 |
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