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微波功率SiGe HBT与基于虚衬底的SiGe HPT的研制 |
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| 论文目录 |
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| 摘要 | 第1-6页 | | Abstract | 第6-14页 | | 第一章 绪论 | 第14-30页 | | ·SiGe HBT与HPT研究背景 | 第14-15页 | | ·SiGe HBT研究进展与存在的问题 | 第15-19页 | | ·SiGe HPT研究进展与存在的问题 | 第19-21页 | | ·本论文的工作和构架 | 第21-23页 | | 参考文献 | 第23-30页 | | 第二章 双生长室UHV/CVD系统与SiGe材料生长 | 第30-44页 | | ·双生长室UHV/CVD系统 | 第30-32页 | | ·SiGe材料生长 | 第32-41页 | | ·SiGe单层与Si/SiGe多量子阱生长 | 第32-36页 | | ·源流量比与Ge组分的关系 | 第36页 | | ·Si/SiGe材料p型和n型原位掺杂 | 第36-40页 | | ·SiGe HBT结构材料试生长 | 第40-41页 | | ·本章小结 | 第41-42页 | | 参考文献 | 第42-44页 | | 第三章 微波功率SiGe HBT原理与设计 | 第44-58页 | | ·SiGe HBT工作原理 | 第44-47页 | | ·微波功率SiGe HBT设计 | 第47-52页 | | ·纵向结构设计 | 第47-49页 | | ·横向结构设计 | 第49-52页 | | ·SiGeHBT频率理论预测 | 第52-54页 | | ·特征频率f_T | 第52-53页 | | ·最大振荡频率f_(max) | 第53-54页 | | 本章小结 | 第54-55页 | | 参考文献 | 第55-58页 | | 第四章 微波功率SiGe HBT制备与特性 | 第58-80页 | | ·微波功率SiGe HBT结构材料制备 | 第58-60页 | | ·微波功率SiGe HBT制备工艺 | 第60-63页 | | ·微波功率SiGe HBT基本特性 | 第63-68页 | | ·不同发射极指数SiGe HBT特性分析 | 第68-72页 | | ·SiGe HBT Gummel图 | 第69-70页 | | ·基极为电流输入时SiGe HBT Ⅰ-Ⅴ特性 | 第70-71页 | | ·基极为电压输入时SiGe HBT Ⅰ-Ⅴ特性 | 第71-72页 | | ·SiGe HBT自加热特性自补偿方法 | 第72-74页 | | ·Ge组分对SiGe HBT性能的影响 | 第74-77页 | | ·本章小结 | 第77-78页 | | 参考文献 | 第78-80页 | | 第五章 基于虚衬底的SiGe HPT理论模拟 | 第80-104页 | | ·SiGe HPT工作原理 | 第80-82页 | | ·基于虚衬底的SiGe HPT模拟 | 第82-98页 | | ·SiGe HPT数值分析模型 | 第82-88页 | | ·SiGe材料参数模型 | 第88-91页 | | ·SiGe HPT模拟结果分析 | 第91-98页 | | ·本章小结 | 第98-99页 | | 参考文献 | 第99-104页 | | 第六章 基于虚衬底的SiGe HPT材料制备 | 第104-138页 | | ·氧化法制备SiGe弛豫衬底 | 第104-119页 | | ·制备原理 | 第104-105页 | | ·Si基SiGe弛豫衬底制备 | 第105-107页 | | ·SOI基SiGe弛豫衬底制备 | 第107-111页 | | ·SiGe氧化动力学 | 第111-119页 | | ·低温Ge缓冲层法外延SiGe弛豫衬底 | 第119-121页 | | ·SiGe弛豫衬底表面热处理 | 第121-128页 | | ·SiGe弛豫衬底高温脱氧 | 第121-125页 | | ·SiGe弛豫衬底高温脱氢 | 第125-128页 | | ·基于虚衬底的SiGe HPT结构材料外延与表征 | 第128-131页 | | ·SiGe HPT结构材料外延 | 第128-129页 | | ·SiGe HPT材料表征 | 第129-131页 | | ·本章小结 | 第131-133页 | | 参考文献 | 第133-138页 | | 第七章 基于虚衬底的SiGe HPT制备与特性 | 第138-146页 | | ·SiGe HPT版图设计 | 第138-139页 | | ·SiGe HPT制备工艺 | 第139页 | | ·基于虚衬底的SiGe HPT特性 | 第139-144页 | | ·SiGe HPT光谱响应 | 第139-141页 | | ·SiGe HPT击穿电压 | 第141-142页 | | ·SiGe HPT暗电流 | 第142页 | | ·SiGe HPT响应度 | 第142-144页 | | ·本章小结 | 第144-145页 | | 参考文献 | 第145-146页 | | 第八章 总结与展望 | 第146-148页 | | 附录 博士期间论文发表、专利申请及获奖情况 | 第148-151页 | | 致谢 | 第151页 |
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论文编号BS663998，这篇论文共151页
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