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4H-SiC雪崩紫外单光子探测器的研究 |
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| 论文目录 |
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| 摘要 | 第3-5页 | | Abstract | 第5-6页 | | 第一章 绪论 | 第9-28页 | | 1.1 引言 | 第9-12页 | | 1.2 4H-SiC半导体材料特性 | 第12-16页 | | 1.3 APD工作原理及主要性能参数 | 第16-20页 | | 1.3.1 APD工作原理 | 第16-17页 | | 1.3.2 APD的主要性能参数 | 第17-20页 | | 1.4 4H-SiC基APD的研究现状 | 第20-22页 | | 1.5 论文研究内容 | 第22-23页 | | 参考文献 | 第23-28页 | | 第二章 4H-SiC基p-i-n紫外APD制备工艺的研究 | 第28-45页 | | 2.1 清洗工艺 | 第29-30页 | | 2.2 台面制备 | 第30-38页 | | 2.2.1 垂直台面结构制备 | 第30-33页 | | 2.2.2 倾斜台面结构制备 | 第33-38页 | | 2.3 表面钝化 | 第38-39页 | | 2.4 日盲滤光器(filter)的制备 | 第39-41页 | | 2.5 本章小结 | 第41-43页 | | 参考文献 | 第43-45页 | | 第三章 4H-SiC基p-i-n紫外APD光电特性的研究 | 第45-68页 | | 3.1 垂直台面4H-SiC APD | 第46-51页 | | 3.2 倾斜台面4H-SiC APD | 第51-55页 | | 3.3 日盲4H-SiC APD | 第55-62页 | | 3.4 SiC APD多元器件 | 第62-65页 | | 3.5 本章小结 | 第65-66页 | | 参考文献 | 第66-68页 | | 第四章 4H-SiC APD紫外单光子探测的研究 | 第68-86页 | | 4.1 单光子探测电路 | 第68-71页 | | 4.2 4H-SiC APD的单光子探测 | 第71-82页 | | 4.2.1 室温下单光子探测能力 | 第72-76页 | | 4.2.2 高温下的单光子探测能力 | 第76-79页 | | 4.2.3 单光子探测信噪比 | 第79-82页 | | 4.3 本章小结 | 第82-84页 | | 参考文献 | 第84-86页 | | 第五章 论文工作总结与展望 | 第86-89页 | | 附录 4H-SiC APD制备工艺流程 | 第89-98页 | | 致谢 | 第98-99页 | | 发表论文目录 | 第99-100页 |
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论文编号BS2650949，这篇论文共100页
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