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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--超晶格AlGaN沟道异质结特性研究
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超晶格AlGaN沟道异质结特性研究
 
     论文目录
 
摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第一章 绪论第13-25页
    1.1 GaN材料及器件介绍第13-18页
        1.1.1 GaN材料及器件的发展历程第13-14页
        1.1.2 GaN材料的性质第14-16页
        1.1.3 GaN材料的应用第16-18页
    1.2 AlGaN材料及AlGaN沟道HEMT器件介绍第18-22页
        1.2.1 AlGaN材料背景介绍第18-20页
        1.2.2 AlGaN/AlGaN异质结及其HEMT器件的发展第20-22页
    1.3 本文工作介绍及章节安排第22-25页
第二章 GaN基异质结相关理论基础及表征手段第25-33页
    2.1 GaN基异质结理论基础介绍第25-28页
        2.1.1 GaN基异质结材料形成物理基础第25-26页
        2.1.2 异质结中的极化效应介绍第26-28页
    2.2 GaN基异质结材料的生产与表征第28-33页
        2.2.1 材料的生长制备第28-29页
        2.2.2 Hall效应测试第29-30页
        2.2.3 C-V测试第30页
        2.2.4 XRD测试第30-31页
        2.2.5 AFM测试第31-33页
第三章 AlGaN沟道异质结材料生长优化第33-47页
    3.1 沟道Al组分为 18%的AlGaN沟道异质结材料生长优化第33-40页
        3.1.1 18%铝组分的AlGaN沟道异质结材料生长第33-35页
        3.1.2 样片A、B、C表面形貌及结晶质量对比第35-38页
        3.1.3 样片A、B、C的电学特性对比第38-40页
    3.2 沟道Al组分为 33%的AlGaN沟道异质结材料生长优化第40-45页
        3.2.1 33%铝组分的AlGaN沟道异质结材料生长第40-41页
        3.2.2 样片D、E的表面形貌及结晶质量对比第41-43页
        3.2.3 样片D和样片E的电学特性比较第43-45页
    3.3 本章小结第45-47页
第四章 超晶格AlGaN沟道异质结材料生长优化第47-59页
    4.1 GaN/AlN超晶格材料的简介第47-49页
        4.1.1 超晶格简介第47-48页
        4.1.2 超晶格的制备第48-49页
    4.2 沟道Al组分为 33%的超晶格AlGaN沟道异质结第49-52页
        4.2.1 沟道Al组分为 33%的超晶格AlGaN沟道异质结的生长制备第49页
        4.2.2 样片E和样片F的表面形貌和结晶质量第49-52页
        4.2.3 样片E和样片F的电学特性比对第52页
    4.3 沟道Al组分为 18%的超晶格AlGaN沟道异质结第52-58页
        4.3.1 直接生长的 18%组分的超晶格AlGaN沟道异质结的生长制备第52-53页
        4.3.2 样片A和样片G的表面形貌和结晶质量分析第53-55页
        4.3.3 样片A和样片G的电学特性对比第55-58页
    4.4 本章小结第58-59页
第五章 结束语第59-61页
参考文献第61-67页
致谢第67-69页
作者简介第69-70页

 
 
论文编号BS2878999,这篇论文共70
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