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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--低维C/MoS2导电纳米器件的设计
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低维C/MoS2导电纳米器件的设计
 
     论文目录
 
摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第10-18页
    1.1 引言第10-11页
    1.2 单层MoS_2的结构、研究现状及应用第11-13页
        1.2.1 MoS_2的结构第11-12页
        1.2.2 MoS_2的研究现状及应用第12-13页
    1.3 MoS_2纳米管的结构,研究现状及应用第13-15页
        1.3.1 MoS_2纳米管结构第13-14页
        1.3.2 MoS_2的研究现状及应用第14-15页
    1.4 导电纳米器件的设计及意义第15-17页
        1.4.1 一维(VBz)n@MoS_2NT导电纳米器件的设计及意义第15-16页
        1.4.2 二维(C_(24))_n/MoS_2和(C_(24)V)_n/MoS_2导电纳米器件的设计及意义第16-17页
    1.5 本文的设计研究内容第17页
    1.6 本文的项目来源第17-18页
第2章 设计模拟方法及技术参数第18-23页
    2.1 第一性原理第18页
    2.2 密度泛函理论第18-20页
        2.2.1 Hoenberg-Kohn定理第18-19页
        2.2.2 Kohn-Sham定理第19-20页
    2.3 非平衡格林函数第20-21页
    2.4 ATK软件设计包第21-23页
第3章 (VBz)n@MoS_2NT的电学性质测试结果第23-36页
    3.1 模型设计思路第23页
    3.2 Bulk体系电性结果讨论第23-30页
        3.2.1 导电纳米器件的几何结构和稳定性第24-25页
        3.2.2 导电纳米器件的能带结构第25-26页
        3.2.3 纳米导电器件的磁特性第26-30页
    3.3 Device体系电性结果讨论第30-34页
        3.3.1 伏安特性测试结果第30-32页
        3.3.2 传输谱测试结果第32-34页
    3.4 本章小结第34-36页
第4章 (C_(24))_n/MoS_2和(C_(24)V)_n/MoS_2的电学性质测试结果第36-46页
    4.1 模型设计思路第36-37页
    4.2 (C_(24))_n/MoS_2导电纳米器件测试结果与讨论第37-43页
    4.3 (C_(24)V)_n/MoS_2导电纳米器件测试结果与讨论第43-45页
    4.4 本章小结第45-46页
总结第46-47页
参考文献第47-54页
攻读硕士学位期间发表的学术论文第54-55页
致谢第55页

 
 
论文编号BS4076699,这篇论文共55
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