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溶液中纳米结构生长的模拟研究和若干受限半导体体系中自旋弛豫的研究
 
     论文目录
 
摘要第1-8页
Abstract第8-18页
第一部分 溶液中纳米结构生长的研究第18-77页
 第一章 树枝状银纳米结构生长的介绍第19-34页
   ·树枝状银纳米结构生长的实验研究第19-20页
   ·树枝状纳米结构的模拟第20-31页
     ·随机行走第20-23页
     ·Eden模型第23-25页
     ·弹道聚集模型第25-26页
     ·受限扩散聚集模型第26-29页
     ·介电击穿模型第29-31页
   ·树枝状纳米结构的理论研究第31-34页
     ·空间电荷的计算第31-32页
     ·成核生长模型第32-34页
 第二章 溶液中纳米颗粒生长的介绍第34-48页
   ·贵金属纳米颗粒的形貌第34-38页
     ·单晶的贵金属纳米颗粒合成第34-36页
     ·孪晶的贵金属纳米颗粒合成第36-38页
   ·贵金属纳米颗粒的成核过程第38页
   ·纳米晶体的生长和选择性吸附第38-41页
     ·表面活性剂第39页
     ·多羟基合成方法第39-41页
     ·小分子和原子的吸附第41页
   ·各种形貌的贵金属纳米颗粒的应用第41-48页
     ·催化性质第41-42页
     ·等离子体光学第42-43页
     ·表面增强拉曼光谱第43-47页
     ·贵金属纳米颗粒的自组装第47-48页
 第三章 表面剂对银树枝状纳米结构生长的影响第48-59页
   ·实验简介第49页
   ·模拟方法第49-50页
   ·结果分析第50-57页
     ·偏压的影响第51-53页
     ·表面剂的影响第53-57页
   ·小结第57-59页
 第四章 立方体纳米颗粒的不对称生长:热力学和动力学因素影响的模拟研究第59-75页
   ·简介第59-61页
   ·模型第61-65页
     ·只考虑热力学因素的生长模型第63-64页
     ·同时考虑热力学因素和依赖于纳米颗粒形貌的动力学因素的生长模型第64页
     ·同时考虑热力学因素和不依赖于纳米颗粒形貌的动力学因素的生长模型第64-65页
   ·模拟结果第65-73页
     ·只考虑热力学因素影响的纳米立方体的生长第66-68页
     ·同时考虑热力学因素和依赖于纳米颗粒形貌的动力学因素的纳米立方体的生长第68-71页
     ·同时考虑热力学因素和不依赖于纳米颗粒形貌的动力学因素的纳米立方体的生长第71-73页
   ·小结第73-75页
 第五章 第一部分工作总结第75-77页
第二部分 若干受限半导体体系中自旋弛豫的研究第77-141页
 第一章 半导体自旋电子学介绍第78-92页
   ·磁性电阻效应介绍第79-82页
   ·自旋器件介绍第82-86页
     ·自旋二极管第82-83页
     ·自旋场效应管第83-85页
     ·量子逻辑门第85-86页
   ·自旋极化的产生第86-87页
   ·量子点系统第87-92页
     ·量子点系统的实验研究第87-91页
     ·量子点系统的理论研究第91-92页
 第二章 自旋弛豫和自旋去相位第92-104页
   ·系综自旋弛豫和去相位时间第92-94页
   ·分立能级系统单自旋的自旋弛豫和去相位第94-104页
     ·微扰方法:费米黄金规则方法第94页
     ·运动方程方法第94-99页
     ·电子自旋去相干机制第99-104页
 第三章 从铁磁金属向二维半导体量子阱的自旋注入第104-112页
   ·理论模型第104-106页
   ·结果分析第106-111页
     ·肖特基结及其对应电场随位置的分布第107-108页
     ·低电子密度情况下自旋极化注入情况第108页
     ·高电子密度情况下自旋极化注入情况第108-109页
     ·玻尔兹曼抽样和费米抽样的比较第109-110页
     ·初始极化率变小时的极化注入情况第110-111页
   ·小结第111-112页
 第四章 GaAs双量子点系统的自旋弛豫和去相位的操控第112-127页
   ·背景介绍第112页
   ·计算方法第112-115页
   ·结果分析第115-125页
     ·费米黄金规则方法求自旋-轨道耦合与电子-声子相互作用导致的自旋弛豫时间T_1第115-121页
     ·运动方程方法求不同机制导致的自旋弛豫时间T_1和自旋去相位时间T_2第121-125页
   ·小结第125-127页
 第五章 GaN单量子点中的自旋弛豫第127-139页
   ·背景介绍第127-128页
   ·模型和理论方法第128-131页
     ·哈密顿量第128-129页
     ·散射机制第129-130页
     ·求自旋弛豫的方法第130-131页
   ·解析分析第131-133页
   ·数值计算结果第133-138页
     ·量子阱宽度对自旋弛豫的影响第133-135页
     ·量子点直径对自旋弛豫时间的影响第135页
     ·磁场直径对自旋弛豫时间的影响第135-137页
     ·度对自旋弛豫时间的影响第137-138页
   ·小结第138-139页
 第六章 第二部分工作总结第139-141页
附录A 系综蒙特-卡洛器件模拟方法简介第141-150页
 A.1 单电子蒙特-卡洛方法第141-144页
 A.2 系综蒙特-卡洛方法第144页
 A.3 蒙特-卡洛器件模拟第144-148页
 A.4 考虑自旋的蒙特-卡洛器件模拟第148-150页
附录B 蒙特-卡洛器件模拟中电子散射率的求法第150-154页
 B.1 三维情况第150-151页
 B.2 二维情况第151-154页
参考文献第154-172页
硕博连读期间发表的论文第172-173页
致谢第173页

 
 
论文编号BS511549,这篇论文共173
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