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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--一种分立式高压功率VDMOS器件SPICE宏模型的研究
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一种分立式高压功率VDMOS器件SPICE宏模型的研究
 
     论文目录
 
摘要第1-5页
Abstract第5-11页
第一章 绪论第11-15页
   ·研究高压 VDMOS 器件宏模型的意义第11-12页
   ·国内外研究历史和现状第12-13页
   ·本文的所做的主要工作第13-15页
第二章 功率器件建模相关理论第15-27页
   ·器件模型概述第15-17页
   ·建模的内容第17-19页
     ·直流(DC)模型第17-18页
     ·瞬态(Transient)和交流(AC)模型第18页
     ·热(Thermal)模型第18-19页
   ·模型参数第19-20页
     ·技术参数(Technological Parameters)第19页
     ·物理参数(Physical Parameters)第19页
     ·电学参数(Electrical Parameters)第19页
     ·热学参数(Thermal Parameters)第19-20页
     ·拟合参数(Fitting Parameters)第20页
   ·建模的基本原则第20-23页
     ·模型的嵌入(Model Embedding)第20-22页
     ·模型的质量(Model Quality)第22页
     ·参数的提取(Parameter Extraction)第22-23页
   ·建模的流程第23-27页
     ·器件特性测量第24页
     ·确定模型拓扑结构第24-25页
     ·参数提取第25-26页
     ·模型仿真第26页
     ·参数迭代、优化第26页
     ·模型的验证和评估第26-27页
第三章 高压 VDMOS 静态特性及温度特性建模第27-48页
   ·静态特性的器件物理基础第27-30页
     ·导通电阻(On Resistance)第27-28页
     ·阈值电压(Threshold Voltage)第28-30页
     ·击穿电压(Breakdown Voltage)第30页
   ·静态特性的测量第30-33页
     ·开尔文连接第31-32页
     ·低占空比脉冲测试第32-33页
   ·VDMOS 静态宏模型第33-42页
     ·M1 和M2 的模型第34-35页
     ·JFET 电阻的描述第35-37页
     ·阈值电压 V_(GS(TH))的拟合第37-38页
     ·其他特性曲线的拟合第38-39页
     ·体二极管的直流特性模拟第39-41页
     ·相关规格(Specification)参数的拟合第41-42页
   ·温度特性的物理基础第42页
   ·温度特性的测量第42-43页
   ·全局温度热特性建模第43-48页
     ·导通电阻的温度特性第43-45页
     ·阈值电压的温度特性第45-46页
     ·击穿电压的温度特性第46页
     ·体二极管的温度特性第46-47页
     ·相关规格参数的拟合第47-48页
第四章 高压 VDMOS 器件的动态特性及热阻建模第48-67页
   ·动态特性的器件物理基础第48-52页
     ·VDMOS 的工作频率第48-49页
     ·VDMOS 器件的寄生电容第49-52页
   ·VDMOS 动态特性测量第52-56页
     ·电容-电压(Capacitance-Voltage)曲线测量第52-53页
     ·栅电荷(Gate Charge)曲线测量第53-54页
     ·阻性开关(Resistive Switching)特性测量第54页
     ·雪崩击穿能量(Avalanche Energy)测量第54-55页
     ·体二极管反向恢复(Body Diode Reverse Recovery)特性测量第55-56页
   ·高压 VDMOS 的动态宏模型第56-63页
     ·寄生体二极管动态特性模拟第57-58页
     ·栅-源电容 CGS模拟第58-59页
     ·Miller 电容及栅电荷曲线拟合第59-61页
     ·Rgate,Lgate,Ldrain,Lsource第61-62页
     ·雪崩击穿能量的计算第62-63页
   ·热阻基本理论第63-64页
   ·热阻模型第64-67页
第五章 总结第67-69页
致谢第69-70页
参考文献第70-72页
攻硕期间取得的研究成果第72-73页
个人简历第73-74页

 
 
论文编号BS1319305,这篇论文共74
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