摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-11页 |
第一章 绪论 | 第11-15页 |
·研究高压 VDMOS 器件宏模型的意义 | 第11-12页 |
·国内外研究历史和现状 | 第12-13页 |
·本文的所做的主要工作 | 第13-15页 |
第二章 功率器件建模相关理论 | 第15-27页 |
·器件模型概述 | 第15-17页 |
·建模的内容 | 第17-19页 |
·直流(DC)模型 | 第17-18页 |
·瞬态(Transient)和交流(AC)模型 | 第18页 |
·热(Thermal)模型 | 第18-19页 |
·模型参数 | 第19-20页 |
·技术参数(Technological Parameters) | 第19页 |
·物理参数(Physical Parameters) | 第19页 |
·电学参数(Electrical Parameters) | 第19页 |
·热学参数(Thermal Parameters) | 第19-20页 |
·拟合参数(Fitting Parameters) | 第20页 |
·建模的基本原则 | 第20-23页 |
·模型的嵌入(Model Embedding) | 第20-22页 |
·模型的质量(Model Quality) | 第22页 |
·参数的提取(Parameter Extraction) | 第22-23页 |
·建模的流程 | 第23-27页 |
·器件特性测量 | 第24页 |
·确定模型拓扑结构 | 第24-25页 |
·参数提取 | 第25-26页 |
·模型仿真 | 第26页 |
·参数迭代、优化 | 第26页 |
·模型的验证和评估 | 第26-27页 |
第三章 高压 VDMOS 静态特性及温度特性建模 | 第27-48页 |
·静态特性的器件物理基础 | 第27-30页 |
·导通电阻(On Resistance) | 第27-28页 |
·阈值电压(Threshold Voltage) | 第28-30页 |
·击穿电压(Breakdown Voltage) | 第30页 |
·静态特性的测量 | 第30-33页 |
·开尔文连接 | 第31-32页 |
·低占空比脉冲测试 | 第32-33页 |
·VDMOS 静态宏模型 | 第33-42页 |
·M1 和M2 的模型 | 第34-35页 |
·JFET 电阻的描述 | 第35-37页 |
·阈值电压 V_(GS(TH))的拟合 | 第37-38页 |
·其他特性曲线的拟合 | 第38-39页 |
·体二极管的直流特性模拟 | 第39-41页 |
·相关规格(Specification)参数的拟合 | 第41-42页 |
·温度特性的物理基础 | 第42页 |
·温度特性的测量 | 第42-43页 |
·全局温度热特性建模 | 第43-48页 |
·导通电阻的温度特性 | 第43-45页 |
·阈值电压的温度特性 | 第45-46页 |
·击穿电压的温度特性 | 第46页 |
·体二极管的温度特性 | 第46-47页 |
·相关规格参数的拟合 | 第47-48页 |
第四章 高压 VDMOS 器件的动态特性及热阻建模 | 第48-67页 |
·动态特性的器件物理基础 | 第48-52页 |
·VDMOS 的工作频率 | 第48-49页 |
·VDMOS 器件的寄生电容 | 第49-52页 |
·VDMOS 动态特性测量 | 第52-56页 |
·电容-电压(Capacitance-Voltage)曲线测量 | 第52-53页 |
·栅电荷(Gate Charge)曲线测量 | 第53-54页 |
·阻性开关(Resistive Switching)特性测量 | 第54页 |
·雪崩击穿能量(Avalanche Energy)测量 | 第54-55页 |
·体二极管反向恢复(Body Diode Reverse Recovery)特性测量 | 第55-56页 |
·高压 VDMOS 的动态宏模型 | 第56-63页 |
·寄生体二极管动态特性模拟 | 第57-58页 |
·栅-源电容 CGS模拟 | 第58-59页 |
·Miller 电容及栅电荷曲线拟合 | 第59-61页 |
·Rgate,Lgate,Ldrain,Lsource | 第61-62页 |
·雪崩击穿能量的计算 | 第62-63页 |
·热阻基本理论 | 第63-64页 |
·热阻模型 | 第64-67页 |
第五章 总结 | 第67-69页 |
致谢 | 第69-70页 |
参考文献 | 第70-72页 |
攻硕期间取得的研究成果 | 第72-73页 |
个人简历 | 第73-74页 |