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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--铪基MOS结构的制备及其特性研究
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铪基MOS结构的制备及其特性研究
 
     论文目录
 
摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第7-19页
    1.1 引言第7-9页
    1.2 SiO_2作为栅介质材料的限制第9-10页
        1.2.1 MOSFET的缩小第9页
        1.2.2 SiO_2的不断减薄所遇到的问题第9-10页
    1.3 High k材料取代SiO_2成为必然趋势第10-17页
        1.3.1 High k材料替代SiO_2性能要求第11-13页
        1.3.2 High k材料的研究现状第13-15页
        1.3.3 Hf基高k栅介质第15-17页
    1.4 SiC衬底第17-18页
    1.5 本论文的主要工作第18-19页
第二章 原子层淀积技术及其表征方法第19-30页
    2.1 引言第19页
    2.2 原子层淀积(ALD)技术第19-23页
        2.2.1 原子层淀积的原理第19-21页
        2.2.2 原子层淀积Hf基高k栅介质第21-22页
        2.2.3 原子层淀积的优势第22-23页
    2.3 高k栅介质的表征技术第23-29页
        2.3.1 椭偏测量(SE)第23-26页
        2.3.2 X射线光电子能谱(XPS)第26-28页
        2.3.3 MOS电容的电学测试第28-29页
    2.4 本章小结第29-30页
第三章 氮化的HfO_2为高k栅介质的Si MOS电容第30-40页
    3.1 引言第30页
    3.2 实验内容第30-31页
    3.3 实验结果及分析第31-39页
        3.3.1 XPS分析第31-33页
        3.3.2 椭偏分析(SE)第33-37页
        3.3.3 电学性能的测试(C-V)第37-39页
    3.4 本章小结第39-40页
第四章 SiC为衬底的HfO_2 MOS结构第40-51页
    4.1 引言第40-41页
    4.2 实验内容第41页
    4.3 实验结果及分析第41-49页
        4.3.1 SiC的表面钝化处理对HfO_2/SiC界面的影响第41-45页
        4.3.2 SiC的表面钝化处理对电学参数的影响第45-47页
        4.3.3 不同的退火温度对样品的影响第47-49页
    4.4 本章小结第49-51页
第五章 结论第51-53页
参考文献第53-59页
硕士阶段取得的学术成果第59-60页
致谢第60-61页

 
 
论文编号BS3477105,这篇论文共61
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