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单层MoS2掺杂体系的电子结构及光学性质的第一性原理计算研究 |
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| 中文摘要 | 第3-4页 | | 英文摘要 | 第4-5页 | | 1 绪论 | 第8-20页 | | 1.1 课题背景及国内外研究现状 | 第8-12页 | | 1.1.1 课题背景研究 | 第8-10页 | | 1.1.2 国内外研究现状 | 第10-12页 | | 1.2 二硫化钼简介 | 第12-13页 | | 1.2.1 二硫化钼概述 | 第12页 | | 1.2.2 二硫化钼晶体结构 | 第12-13页 | | 1.3 基本物理量研究 | 第13-17页 | | 1.3.1 能带结构 | 第13-14页 | | 1.3.2 态密度 | 第14-15页 | | 1.3.3 光学常量 | 第15-17页 | | 1.4 课题研究目的和内容 | 第17-20页 | | 1.4.1 研究目的 | 第17页 | | 1.4.2 研究主要内容 | 第17-20页 | | 2 第一性原理计算理论基础与计算软件 | 第20-30页 | | 2.1 第一性原理计算的理论基础简介 | 第20-27页 | | 2.1.1 伯恩-奥本海默(Born-Oppenheimer)近似——绝热近似 | 第21页 | | 2.1.2 哈特里-福克(Hartree-Fock)自洽场近似 | 第21-23页 | | 2.1.3 霍恩伯格-科恩(Hohenberg-Kohn)定理 | 第23-24页 | | 2.1.4 Kohn-Sham方程 | 第24-26页 | | 2.1.5 交换关联泛函 | 第26-27页 | | 2.2 VASP计算程序包简介 | 第27-30页 | | 3 本征H型单层二硫化钼性质的研究 | 第30-36页 | | 3.1 计算方法和模型 | 第30-32页 | | 3.2 本征H型单层MoS_2的电子结构特征 | 第32-36页 | | 4 单层二硫化钼掺杂体系电子结构的研究 | 第36-48页 | | 4.1 Cl原子替换S原子掺杂的电子结构 | 第36-40页 | | 4.2 P原子替换S原子掺杂的电子结构 | 第40-45页 | | 4.3 O和Se原子替换S原子的掺杂体系 | 第45-48页 | | 5 光学性质的研究 | 第48-62页 | | 5.1 研究背景 | 第48页 | | 5.2 本征H型单层MoS_2光学性质 | 第48-54页 | | 5.2.1 介电函数 | 第49-50页 | | 5.2.2 其他光学参数 | 第50-54页 | | 5.3 掺杂体系的光学性质研究 | 第54-62页 | | 5.3.1 掺杂体系的吸收系数 | 第55-57页 | | 5.3.2 掺杂体系的反射率 | 第57-58页 | | 5.3.3 掺杂体系的折射率 | 第58-60页 | | 5.3.4 掺杂体系的消光系数 | 第60-62页 | | 6 总结 | 第62-64页 | | 致谢 | 第64-66页 | | 参考文献 | 第66-72页 | | 附录 | 第72页 | | A.作者在攻读学位期间发表的论文目录 | 第72页 | | B.作者在攻读学位期间取得的科研成果目录 | 第72页 |
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论文编号BS4184955，这篇论文共72页
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