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当前位置:教育论文中心首页--博士论文--光电子集成中的异质外延与新材料研究
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光电子集成中的异质外延与新材料研究
 
     论文目录
 
内容摘要第1-6页
ABSTRACT第6-9页
目录第9-11页
第一章 绪论第11-15页
   ·引言第11页
   ·研究背景和意义第11-13页
   ·本论文的结构安排第13-14页
 参考文献第14-15页
第二章 基于低温缓冲层技术的InP/GaAs外延生长机理研究第15-47页
   ·引言第15页
   ·外延生长技术与测试技术简介第15-26页
     ·金属有机化学气相沉积第15-18页
     ·晶体生长质量的测试方法第18-26页
   ·大失配异质外延基本理论模型第26-28页
   ·低温InP的特殊表面形貌第28-36页
     ·实验结果第29-32页
     ·分析与讨论第32-36页
   ·双低温缓冲层的力学形变效应第36-41页
     ·实验结果第36-38页
     ·分析与讨论第38-41页
   ·本章小结第41-42页
 参考文献第42-47页
第三章 InP/GaAs横向异质外延和生长模型研究第47-65页
   ·引言第47-48页
   ·InP/GaAs的ELOG实验方案第48-49页
   ·特殊表面形貌分析第49-52页
     ·Ⅴ/Ⅲ比和掩膜宽度的影响第49-51页
     ·生长时间的影响第51-52页
   ·生长动力学的数值模拟第52-61页
     ·气相扩散生长速率第53-56页
     ·表面迁移速率第56-58页
     ·结论第58-61页
   ·本章小结第61-63页
 参考文献第63-65页
第四章 特殊Ⅲ-Ⅴ化合物的第一性原理研究第65-95页
   ·引言第65页
   ·第一性原理计算第65-78页
   ·BAs在Ⅲ-Ⅴ族中的特殊性第78-82页
   ·半金属化合物:Ⅲ-Bi和Tl-Ⅴ第82-90页
   ·本章小结第90-91页
 参考文献第91-95页
第五章 GaAs基新合金材料的第一性原理研究第95-110页
   ·引言第95页
   ·模型与计算方法第95-102页
     ·虚晶近似第96-100页
     ·团簇近似第100-102页
   ·结构和电学特性第102-106页
   ·本章小结第106-107页
 参考文献第107-110页
第六章 BGaAs化合物的LP-MOCVD生长实验第110-123页
   ·引言第110页
   ·硼源的选择第110-113页
   ·BGaAs生长方案第113-114页
   ·B组分的测量第114-116页
   ·结果分析第116-120页
 参考文献第120-123页
第七章 总结第123-126页
致谢第126-127页
攻读博士学位期间已经发表的学术论文第127页

 
 
论文编号BS705205,这篇论文共127
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