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数字CMOS工艺实现的单片本振电路 |
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| 论文目录 |
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| 摘要 | 第1-4页 | | Abstract(英文摘要) | 第4-5页 | | 目录 | 第5-7页 | | 第一章 引言 | 第7-11页 | | ·CMOS工艺和射频集成电路 | 第7-8页 | | ·本振电路的重要作用 | 第8-9页 | | ·论文的主要工作 | 第9-10页 | | ·论文的组织结构 | 第10-11页 | | 第二章 系统设计和仿真 | 第11-30页 | | ·频率综合器的常见结构和性能指标 | 第11-13页 | | ·常见结构 | 第11-12页 | | ·主要性能指标 | 第12-13页 | | ·锁相环的模型和基本组成 | 第13-21页 | | ·锁相环电路的线性模型 | 第13-17页 | | ·锁相环电路的基本单元 | 第17-21页 | | ·相位噪声的Leeson模型 | 第21-22页 | | ·跳频系统中电荷泵锁相环的基于事件驱动的快速仿真 | 第22-30页 | | ·电荷泵锁相环的几种仿真方法 | 第23-25页 | | ·事件驱动模型简介 | 第25-26页 | | ·实现中的改进和应用 | 第26-30页 | | 第三章 元件建模和设计 | 第30-60页 | | ·片上集成电感的设计和建模 | 第31-46页 | | ·储能元件的Q值 | 第31-34页 | | ·片上电感的模型 | 第34-38页 | | ·片上电感的设计 | 第38-41页 | | ·提高Q值的技术 | 第41-43页 | | ·设计实例和改进 | 第43-46页 | | ·电容和电阻元件 | 第46-49页 | | ·电容元件 | 第46-48页 | | ·电阻元件 | 第48-49页 | | ·MOS变容管 | 第49-53页 | | ·MOS变容管特性 | 第49-51页 | | ·MOS变容管用于LC-VCO时的大信号分析 | 第51-52页 | | ·I-MOS变容管的串联电阻 | 第52-53页 | | ·MOS管和其他元件 | 第53-60页 | | ·有源器件 | 第53-58页 | | ·硅衬底 | 第58-59页 | | ·互连 | 第59页 | | ·芯片封装 | 第59-60页 | | 第四章 电路设计 | 第60-83页 | | ·Integer-N PLL系统 | 第60-65页 | | ·设计指标的确定 | 第60-62页 | | ·PLL的系统级设计 | 第62-65页 | | ·LC-VCO的设计 | 第65-70页 | | ·LC-VCO设计时的一般考虑 | 第65-68页 | | ·设计实例 | 第68-70页 | | ·倍频式VCO和倍频器 | 第70-81页 | | ·电路的基本原理和结构 | 第72-76页 | | ·电路主要元件的设计 | 第76-79页 | | ·仿真结果 | 第79-81页 | | ·其他辅助电路 | 第81-83页 | | ·TSPC | 第81-83页 | | 第五章 版图设计和测试 | 第83-90页 | | ·版图设计 | 第83-86页 | | ·电路的测试 | 第86-90页 | | 第六章 结论和展望 | 第90-92页 | | 感谢词 | 第92-93页 | | 参考文献 | 第93-97页 |
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论文编号BS954355，这篇论文共97页
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