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数字CMOS工艺实现的单片本振电路
 
     论文目录
 
摘要第1-4页
Abstract(英文摘要)第4-5页
目录第5-7页
第一章 引言第7-11页
   ·CMOS工艺和射频集成电路第7-8页
   ·本振电路的重要作用第8-9页
   ·论文的主要工作第9-10页
   ·论文的组织结构第10-11页
第二章 系统设计和仿真第11-30页
   ·频率综合器的常见结构和性能指标第11-13页
     ·常见结构第11-12页
     ·主要性能指标第12-13页
   ·锁相环的模型和基本组成第13-21页
     ·锁相环电路的线性模型第13-17页
     ·锁相环电路的基本单元第17-21页
   ·相位噪声的Leeson模型第21-22页
   ·跳频系统中电荷泵锁相环的基于事件驱动的快速仿真第22-30页
     ·电荷泵锁相环的几种仿真方法第23-25页
     ·事件驱动模型简介第25-26页
     ·实现中的改进和应用第26-30页
第三章 元件建模和设计第30-60页
   ·片上集成电感的设计和建模第31-46页
     ·储能元件的Q值第31-34页
     ·片上电感的模型第34-38页
     ·片上电感的设计第38-41页
     ·提高Q值的技术第41-43页
     ·设计实例和改进第43-46页
   ·电容和电阻元件第46-49页
     ·电容元件第46-48页
     ·电阻元件第48-49页
   ·MOS变容管第49-53页
     ·MOS变容管特性第49-51页
     ·MOS变容管用于LC-VCO时的大信号分析第51-52页
     ·I-MOS变容管的串联电阻第52-53页
   ·MOS管和其他元件第53-60页
     ·有源器件第53-58页
     ·硅衬底第58-59页
     ·互连第59页
     ·芯片封装第59-60页
第四章 电路设计第60-83页
   ·Integer-N PLL系统第60-65页
     ·设计指标的确定第60-62页
     ·PLL的系统级设计第62-65页
   ·LC-VCO的设计第65-70页
     ·LC-VCO设计时的一般考虑第65-68页
     ·设计实例第68-70页
   ·倍频式VCO和倍频器第70-81页
     ·电路的基本原理和结构第72-76页
     ·电路主要元件的设计第76-79页
     ·仿真结果第79-81页
   ·其他辅助电路第81-83页
     ·TSPC第81-83页
第五章 版图设计和测试第83-90页
   ·版图设计第83-86页
   ·电路的测试第86-90页
第六章 结论和展望第90-92页
感谢词第92-93页
参考文献第93-97页

 
论文编号BS954355,这篇论文共97
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