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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--双轴应变硅MOS器件的自热效应研究
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双轴应变硅MOS器件的自热效应研究
 
     论文目录
 
摘要第1-4页
Abstract第4-7页
第一章 绪论第7-11页
   ·应变硅技术的研究目的与发展现状第7-8页
     ·应变硅技术研究目的第7-8页
     ·应变硅技术的发展现状第8页
   ·应变硅MOS器件自热效应的研究意义第8-9页
   ·本文的主要工作及内容安排第9-11页
第二章 应变硅MOS器件的物理特性第11-23页
   ·应变硅中载流子迁移率增强机理第11-17页
     ·张应力下电子迁移率的增强第11-14页
     ·压应力下空穴迁移率的增强第14-15页
     ·Si/SiGe界面的能带结构第15-17页
   ·应变硅MOS器件结构第17-21页
     ·应变硅MOS器件分类第17-20页
     ·双轴应变硅材料位错分析第20-21页
   ·本章小结第21-23页
第三章 应变硅MOS器件热特性分析第23-33页
   ·器件设计中的热特性第23-25页
     ·体硅晶体管第24页
     ·非传统晶体管第24-25页
   ·半导体材料中的热产生和热传导第25-27页
   ·准弹道二极管的热仿真第27-32页
     ·漏端焦耳热第28-31页
     ·源的电热冷却第31-32页
   ·本章小结第32-33页
第四章 双轴应变硅MOS器件热阻模型的建立第33-47页
   ·硅材料的高温热导率模型第33-39页
     ·高温下纯净体硅的热导率第34-35页
     ·高温下掺杂体硅的热导率第35-37页
     ·高温下纯净薄硅层的热导率第37-38页
     ·高温下掺杂薄硅层的热导率第38-39页
   ·金属界面热阻第39-41页
     ·MOSFET边界热阻第39-40页
     ·MOSFET接触和通孔热阻第40-41页
   ·双轴应变硅MOSFET的热阻模型及模型验证结果第41-44页
     ·双轴应变硅MOSFET的热阻模型第41-43页
     ·模型验证结果第43-44页
   ·双轴应变硅MOSFET的结构优化第44-46页
   ·本章小结第46-47页
第五章 薄虚拟衬底应变硅MOS器件的研究第47-61页
   ·薄虚拟衬底制造工艺第47-51页
     ·低温生长第47-48页
     ·C掺杂第48-49页
     ·He离子注入第49-51页
   ·薄虚拟衬底应变硅MOS器件的电热特性第51-54页
     ·薄虚拟衬底应变硅MOS器件的自热效应第51-53页
     ·薄虚拟衬底应变硅MOS器件的击穿特性第53-54页
   ·薄虚拟衬底应变硅MOS器件的栅漏特性第54-59页
     ·栅漏电流模型第54-57页
     ·应力导致栅漏电流特性第57页
     ·栅漏电流的产生机理第57-59页
   ·本章小结第59-61页
第六章 总结和展望第61-63页
致谢第63-65页
参考文献第65-69页
研究成果第69-70页

 
 
论文编号BS150306,这篇论文共70
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