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SiC/SiO2同轴纳米电缆量产化制备工艺研究 |
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| 论文目录 |
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| 摘要 | 第1-5页 | | ABSTRACT | 第5-9页 | | 1 绪论 | 第9-36页 | | ·引言 | 第9-10页 | | ·一维纳米材料的研究现状 | 第10-21页 | | ·一维纳米材料的制备策略 | 第11-12页 | | ·一维纳米材料的主要形貌 | 第12-16页 | | ·一维纳米材料的生长机理 | 第16-20页 | | ·一维纳米材料的新奇特性 | 第20-21页 | | ·SiC一维纳米材料研究进展 | 第21-33页 | | ·SiC晶体的结构和性质 | 第21-22页 | | ·SiC一维纳米材料的合成方法 | 第22-28页 | | ·SiC一维纳米材料的优良性能及应用 | 第28-33页 | | ·本文选题依据、主要研究内容及创新点 | 第33-36页 | | ·本文的选题依据 | 第33-34页 | | ·本文的主要研究内容 | 第34页 | | ·本文的主要创新点 | 第34-36页 | | 2 实验部分 | 第36-41页 | | ·实验仪器及实验原料 | 第36页 | | ·实验仪器 | 第36页 | | ·实验原料 | 第36页 | | ·实验原料预处理 | 第36-38页 | | ·硅源材料的选取 | 第36-37页 | | ·碳源材料的选取 | 第37页 | | ·粉体原料的预处理 | 第37-38页 | | ·基片的预处理 | 第38页 | | ·催化剂的配制 | 第38页 | | ·保护气的选取 | 第38页 | | ·产物制备实验步骤 | 第38-40页 | | ·实验表征 | 第40-41页 | | ·数码相机 | 第40页 | | ·电子天平 | 第40页 | | ·扫描电子显微镜(SEM)及X射线能谱仪(EDX) | 第40页 | | ·透射电子显微镜(TEM)及选区电子衍射(SAED) | 第40页 | | ·X射线衍射仪(XRD) | 第40页 | | ·傅里叶红外光谱仪(FT-IR) | 第40-41页 | | 3 甲烷为碳源制备SiC/SiO_2同轴纳米电缆的工艺研究 | 第41-55页 | | ·引言 | 第41页 | | ·制备工艺及结果分析 | 第41-52页 | | ·保温时间的影响 | 第41-43页 | | ·通气时间的影响 | 第43-45页 | | ·通气速率的影响 | 第45-48页 | | ·通气动态变化情况的影响 | 第48-50页 | | ·物料进炉温度的影响 | 第50-52页 | | ·生长机理分析与讨论 | 第52-53页 | | ·本章小结 | 第53-55页 | | 4 石墨为碳源制备SiC/SiO_2同轴纳米电缆的工艺研究 | 第55-81页 | | ·引言 | 第55页 | | ·制备工艺及结果分析 | 第55-78页 | | ·合成参数预选 | 第55-63页 | | ·保温时间的影响 | 第63-66页 | | ·催化剂用量的影响 | 第66-71页 | | ·物料进、出炉热温度的影响 | 第71-78页 | | ·生长机理分析与讨论 | 第78-79页 | | ·本章小结 | 第79-81页 | | 5 复合碳源制备SiC/SiO_2同轴纳米电缆的工艺研究 | 第81-94页 | | ·前言 | 第81页 | | ·制备工艺及结果分析 | 第81-90页 | | ·甲烷石墨复合碳源制备工艺及结果分析 | 第81-85页 | | ·甲烷活性炭复合碳源制备工艺及结果分析 | 第85-87页 | | ·聚碳硅烷裂解制备工艺及结果分析 | 第87-90页 | | ·生长机理分析与讨论 | 第90-93页 | | ·甲烷石墨复合碳源制备工艺生长机理 | 第91-92页 | | ·甲烷活性炭复合碳源制备工艺生长机理 | 第92页 | | ·聚碳硅烷制备工艺生长机理 | 第92-93页 | | ·本章小结 | 第93-94页 | | 结论 | 第94-96页 | | 参考文献 | 第96-106页 | | 致谢 | 第106-107页 | | 攻读硕士学位期间发表的学术论文及获奖目录 | 第107-108页 |
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论文编号BS2149156，这篇论文共108页
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