| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 GaN量子点的研究背景与意义 | 第12-15页 |
| 1.2 GaN量子点的研究进展 | 第15-17页 |
| 1.3 本文的研究内容和章节安排 | 第17-19页 |
| 2 GaN量子点的理论与实验研究方法 | 第19-41页 |
| 2.1 GaN基半导体的基本性质 | 第19-23页 |
| 2.2 低维GaN基半导体的特性 | 第23-24页 |
| 2.3 量子限制斯塔克效应 | 第24-26页 |
| 2.4 材料外延生长基础 | 第26-31页 |
| 2.5 半导体材料的测试表征方法 | 第31-40页 |
| 2.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 3 Droplet epitaxy外延GaN量子点退火工艺研究 | 第41-53页 |
| 3.1 课题组已有实验基础 | 第42-44页 |
| 3.2 不同气氛高温退火对GaN量子点形貌的影响 | 第44-47页 |
| 3.3 不同气氛高温退火对GaN量子点结晶度的影响 | 第47-49页 |
| 3.4 不同气氛高温退火对GaN量子点光学特性的影响 | 第49-52页 |
| 3.5 本章总结 | 第52-53页 |
| 4 AlN缓冲层上的S-K生长GaN量子点 | 第53-80页 |
| 4.1 AlN缓冲层的生长 | 第54-58页 |
| 4.2 单层GaN量子点的生长研究 | 第58-68页 |
| 4.3 GaN量子点盖层的生长研究 | 第68-76页 |
| 4.4 多层GaN/AlN量子点的生长 | 第76-78页 |
| 4.5 本章小结 | 第78-80页 |
| 5 Al_(0.5)GaN模板上GaN量子点生长研究 | 第80-94页 |
| 5.1 i-Al_(0.5)GaN模板的生长 | 第80-83页 |
| 5.2 i-Al_(0.5)GaN模板上的GaN量子点生长 | 第83-87页 |
| 5.3 n-Al_(0.5)GaN模板上GaN量子点的生长 | 第87-89页 |
| 5.4 多层GaN/n-Al_(0.5)GaN量子点的生长研究 | 第89-93页 |
| 5.5 本章小结 | 第93-94页 |
| 6 GaN量子点上ZnO纳米棒生长 | 第94-103页 |
| 6.1 GaN量子点上ZnO纳米棒成核原理与制备流程 | 第95-97页 |
| 6.2 ZnO纳米棒/GaN量子点阵列生长研究 | 第97-100页 |
| 6.3 ZnO纳米棒/GaN量子点阵列的光学性质研究 | 第100-102页 |
| 6.4 本章小结 | 第102-103页 |
| 7 总结与展望 | 第103-106页 |
| 致谢 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-123页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表论文目录 | 第123-124页 |
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