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抗光折变离子和本征缺陷下的光折变掺杂铌酸锂晶体的第一性原理研究 |
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| 论文目录 |
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| 摘要 | 第6-8页 | | ABSTRACT | 第8-9页 | | 第1章 绪论 | 第10-20页 | | 1.1 课题研究的背景和意义 | 第10页 | | 1.1.1 研究背景 | 第10页 | | 1.1.2 研究意义 | 第10页 | | 1.2 全息存储研究的现状 | 第10-13页 | | 1.3 铌酸锂晶体的研究进展 | 第13-17页 | | 1.3.1 铌酸锂晶体的基本结构 | 第13-15页 | | 1.3.2 铌酸锂晶体的掺杂特性 | 第15-17页 | | 1.4 铌酸锂晶体内缺陷对光学性质的影响 | 第17页 | | 1.5 课题主要研究内容 | 第17-20页 | | 第2章 计算模型的理论简介 | 第20-28页 | | 2.1 第一性原理方法 | 第20-23页 | | 2.1.1 Thomas-Fermi模型 | 第20-22页 | | 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第22-23页 | | 2.2 KOHN-SHAM方程 | 第23-24页 | | 2.3 交换关联泛函 | 第24-25页 | | 2.4 CASTEP软件包的简介 | 第25-28页 | | 第3章 第一性原理下铟锰共掺铌酸锂晶体的电子结构和吸收光谱 | 第28-38页 | | 3.1 晶体模型的建立和计算方法 | 第28-30页 | | 3.2 计算结果与理论分析 | 第30-36页 | | 3.2.1 LN及掺杂LN的电子结构 | 第30-34页 | | 3.2.2 光学特性 | 第34-36页 | | 3.3 总结 | 第36-38页 | | 第4章 含本征缺陷的掺铁铌酸锂晶体的电子结构和光学性质的第一性原理研究 | 第38-46页 | | 4.1 晶体的模型建立和计算方法 | 第38-40页 | | 4.2 计算结果的理论分析 | 第40-44页 | | 4.2.1 LN及其掺杂体系的电子结构与态密度 | 第40-42页 | | 4.2.2 光学特性 | 第42-44页 | | 4.3 本章小结 | 第44-46页 | | 第5章 结论与展望 | 第46-48页 | | 5.1 本文结论 | 第46页 | | 5.2 本文存在的不足之处 | 第46页 | | 5.3 前景展望 | 第46-48页 | | 参考文献 | 第48-56页 | | 硕士期间发表的学术论文 | 第56-58页 | | 致谢 | 第58页 |
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论文编号BS2683156，这篇论文共58页
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