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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--Ⅲ-Ⅴ族MOSFET的电容电压和肖特基接触特性
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Ⅲ-Ⅴ族MOSFET的电容电压和肖特基接触特性
 
     论文目录
 
摘要第3-4页
Abstract第4页
第一章 引言第6-10页
    1.1 MOSFET的发展与现状第6-8页
    1.2 Ⅲ-Ⅴ族MOSFET的发展与问题第8-9页
    1.3 本论文的内容与安排第9-10页
第二章 MOSFET的基本特性第10-20页
    2.1 MOSFET中的电容电压特性第10-13页
    2.2 MOSFET中的量子效应第13-16页
    2.3 MOSFET中的肖特基接触特性第16-19页
    2.4 本章小结第19-20页
第三章 Ⅲ-Ⅴ族MOSFET的电容电压特性的计算第20-44页
    3.1 Ⅲ-Ⅴ族MOSFET电容电压特性的计算方法第20-28页
    3.2 Ⅲ-Ⅴ族MOSFET的电容电压特性的计算程序第28-35页
    3.3 Ⅲ-Ⅴ族MOSFET电容电压特性计算的结果与讨论第35-43页
    3.4 本章小结第43-44页
第四章 GaAs电容电压与肖特基接触特性第44-55页
    4.1 GaAs MOS结构的制备工艺第44-47页
    4.2 GaAs MOS结构的电容电压特性测量与分析第47-51页
    4.3 GaAs肖特基接触工艺制备、测量与特性第51-54页
    4.4 本章小结第54-55页
第五章 总结与展望第55-57页
参考文献第57-62页
附录 MATLAB的电容电压计算输入文件第62-75页
攻读硕士学位期间的论文发表情况第75-76页
致谢第76-77页

 
 
论文编号BS2871656,这篇论文共77
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