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相变存储单元抗光子辐照性能的蒙特卡罗模拟研究 |
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论文目录 |
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摘要 | 第4-5页 | Abstract | 第5-6页 | 1 绪论 | 第9-16页 | 1.1 引言 | 第9-11页 | 1.2 相变存储器的物理基础 | 第11-13页 | 1.3 国内外研究现状 | 第13-15页 | 1.4 课题研究的意义与内容 | 第15-16页 | 2 X(γ)射线与相变存储单元的相互作用 | 第16-25页 | 2.1 射线与存储单元作用的宏观现象 | 第16-21页 | 2.2 高能光子与相变介质的微观作用 | 第21-24页 | 2.3 本章小结 | 第24-25页 | 3 蒙特卡罗方法在光子辐照过程中的应用 | 第25-33页 | 3.1 蒙特卡罗方法在光子输运中的具体运用 | 第25-30页 | 3.2 终止条件及记录 | 第30-32页 | 3.3 本章小结 | 第32-33页 | 4 相变存储单元光子辐照仿真系统 | 第33-39页 | 4.1 电性能仿真原理 | 第33-34页 | 4.2 热性能仿真原理 | 第34-35页 | 4.3 相变性能仿真原理 | 第35-36页 | 4.4 存储元电阻的求解 | 第36页 | 4.5 存储单元辐照仿真系统的框架 | 第36-38页 | 4.6 本章小结 | 第38-39页 | 5 相变存储单元抗光子辐照性能仿真及结果分析 | 第39-55页 | 5.1 静态存储单元抗光子辐照性能 | 第39-44页 | 5.2 动态存储单元抗光子辐照性能 | 第44-49页 | 5.3 存储单元抗辐照性能的注量率仿真及分析 | 第49-54页 | 5.4 本章小结 | 第54-55页 | 6 总结与展望 | 第55-57页 | 6.1 总结 | 第55-56页 | 6.2 展望 | 第56-57页 | 致谢 | 第57-58页 | 参考文献 | 第58-63页 | 附录Ⅰ 硕士期间参与的课题 | 第63-64页 | 附录Ⅱ 运用XCOM得到的部分质量衰减系数值 | 第64-65页 |
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