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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--铪基高K栅的制备、物性及MOS器件性能研究
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铪基高K栅的制备、物性及MOS器件性能研究
 
     论文目录
 
摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 绪论第8-15页
    1.1 引言第8-9页
    1.2 MOSFET的基本工作原理第9-12页
    1.3 高K栅介质相关概念第12-13页
        1.3.1 等效氧化层厚度(EOT)第12页
        1.3.2 对于高K介质材料的要求第12-13页
    1.4 Hf基高K栅介质材料第13页
    1.5 本文研究内容和意义第13-15页
第二章 实验原理及相关物理基础第15-30页
    2.1 薄膜制备第15-16页
        2.1.1 实验装置及其实验原理第15-16页
    2.2 影响薄膜溅射生长工艺参数第16-17页
        2.2.1 基片与靶材的选择第16页
        2.2.2 基片的温度第16-17页
        2.2.3 溅射功率第17页
    2.3 高K栅介质表征技术第17-23页
        2.3.1 椭圆偏振仪第17-18页
        2.3.2 X射线光电子能谱(XPS)第18-19页
        2.3.3 X射线衍射(XRD)第19-20页
        2.3.4 薄膜表面形貌(AFM)第20-21页
        2.3.5 傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)第21-22页
        2.3.6 紫外-可见光透射(UV-vis)第22-23页
        2.3.7 电学测试平台第23页
    2.4 电学特性第23-30页
        2.4.1 MOS结构C-V表征第23-26页
        2.4.2 MOS结构I-V表征第26-30页
第三章 TiO_2掺杂浓度对Hf_(1-x)Ti_xO_2/Si光学与电学特性的影响第30-46页
    3.1 实验内容第30-31页
    3.2 结果与讨论第31-45页
        3.2.1 XRD与AFM测试第31-33页
        3.2.2 光学特性分析第33-35页
        3.2.3 薄膜成分及界面分析第35-39页
        3.2.4 能带分析第39-42页
        3.2.5 Al/Hf_(1-x)Ti_xO_2/Si MOS结构的电学特性分析第42-45页
    3.3 本章小结第45-46页
第四章 不同退火温度对HfTiO薄膜的物性影响第46-53页
    4.1 样品的制备第46页
    4.2 HfTiO薄膜的物性分析第46-51页
        4.2.1 HfTiO薄膜结构分析第46-47页
        4.2.2 HfTiO薄膜的表面形貌分析第47-48页
        4.2.3 HfTiO薄膜的光学特性研究第48-51页
    4.3 本章小结第51-53页
第五章 退火温度对HfTiO栅介质薄膜MOS器件性能的影响第53-62页
    5.1 样品的制备第53页
    5.2 HfTiO栅介质薄膜MOS电学性能分析第53-61页
        5.2.1 HfTiO薄膜的C-V特性分析第53-55页
        5.2.2 不同退火温度对HfTiO栅介质栅漏机制的影响第55-61页
    5.3 本章小结第61-62页
第六章 HfTiO和HfTiON栅介质薄膜的光学与电学特性研究第62-71页
    6.1 HfTiO和HfTiON栅介质薄膜的制备第62-63页
    6.2 HfTiO和HfTiON的物性研究第63-69页
        6.2.1 光学特性研究第63-64页
        6.2.2 电学特性第64-69页
    6.3 本章小结第69-71页
第七章 退火对HfGdO/HfTiO与HfTiO/HfGdO叠层栅界面及电学特性影响第71-79页
    7.1 HfGdO/HfTiO与HfTiO/HfGdO薄膜的制备第71-72页
    7.2 电学特性分析第72-78页
        7.2.1 C-V特性第72-74页
        7.2.2 I-V特性第74-76页
        7.2.3 HfGdO/HfTiO与HfTiO/HfGdO界面结构分析第76-78页
    7.3 本章小结第78-79页
第八章 总结和展望第79-81页
    8.1 本文总结第79-80页
    8.2 有待探讨的问题第80-81页
参考文献第81-93页
硕士阶段取得学术成果第93-96页
致谢第96页

 
 
论文编号BS3253006,这篇论文共96
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