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当前位置:教育论文中心首页--博士论文--4H-SiC同质外延薄膜及其高压肖特基二极管器件研究
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4H-SiC同质外延薄膜及其高压肖特基二极管器件研究
 
     论文目录
 
摘要第1-7页
Abstract第7-12页
第1章 绪论第12-22页
   ·4H-SiC 材料和SBD 器件的发展第12-17页
     ·4H-SiC 材料的优点第12-13页
     ·4H-SiC 材料和SBD 器件的进展第13-17页
   ·存在的问题第17-20页
     ·4H-SiC 半导体材料制备方面的问题第18-19页
     ·4H-SiC SBD 器件方面的问题第19-20页
   ·本论文的主要工作第20-22页
第2章 4H-SiC 同质外延材料的制备及检测第22-49页
   ·SiC 材料的基本特征第22-30页
     ·SiC 的晶体结构第22-25页
     ·4H-SiC 的能带宽度第25-26页
     ·碰撞电离系数第26-27页
     ·载流子的迁移率第27-30页
   ·4H-SiC 同质外延薄膜的制备第30-38页
     ·CVD 法设备的简单介绍第30-32页
     ·4H-SiC 同质外延薄膜CVD 淀积的物理化学反应原理第32-36页
     ·4H-SiC 同质外延薄膜生长工艺研究第36-38页
   ·4H-SiC 同质外延薄膜实验结果与讨论第38-48页
     ·4H-SiC 同质外延淀积速率和淀积源流量的关系第39-42页
     ·4H-SiC 同质外延掺杂浓度与淀积源流量之关系第42-45页
     ·4H-SiC 同质外延薄膜表面形貌测试第45-48页
   ·本章小结第48-49页
第3章 高压4H-SiC 肖特基势垒二极管的理论分析第49-65页
   ·高压4H-SiC SBD 器件反向击穿电压第49-50页
   ·高压4H-SiC SBD 的正向伏安特性分析第50-59页
     ·高压4H-SiC SBD 器件的正向导通压降第50-51页
     ·高压4H-SiC SBD 器件的肖特基势垒高度第51-54页
     ·高压4H-SiC SBD 的外延层和衬底的串联电阻第54-56页
     ·高压4H-SiC SBD 衬底与衬底面金属之间欧姆接触第56-59页
   ·高压4H-SiC 肖特基势垒二极管的反向伏安特性第59-63页
     ·载流电子穿过N 型4H-SiC 肖特基势垒的途经第59页
     ·高压4H-SiC 肖特基势垒二极管的反向电流密度的计算模型第59-63页
   ·高压4H-SiC SBD 器件耗散功率分析第63-64页
   ·本章小结第64-65页
第4章 高压4H-SiC SBD 结终端技术研究第65-80页
   ·研究高压4H-SiC SBD 结终端技术的必要性第65-67页
   ·高压4H-SiC SBD 平面结终端技术第67-71页
     ·4H-SiC SBD 器件的场板技术第67页
     ·4H-SiC SBD 器件的保护环技术第67-68页
     ·4H-SiC 半导体平面结腐蚀造型第68-69页
     ·4H-SiC SBD 结终端扩展技术第69-70页
     ·4H-SiC 半导体SBD 结场限环技术第70-71页
   ·高压4H-SiC SBD 器件的反向耐压特性模拟分析第71-79页
     ·ISE-TCAD10.0 简介第71-72页
     ·求解的基本方程第72-73页
     ·高压4H-SiC SBD 器件的模拟结果第73-79页
   ·本章小结第79-80页
第5章 高压4H-SiC SBD 器件的研制第80-109页
   ·n 型4H-SiC 体材料欧姆和肖特基接触的制备第80-95页
     ·Ni/4H-SiC 欧姆接触工艺研究第80-84页
     ·Mo/4H-SiC 肖特基接触工艺研究第84-88页
     ·高压4H-SiC SBD 结终端结构中的离子注入理论第88-95页
   ·基于结终端场限环的Mo/4H-SiC 肖特基势垒二极管的研制第95-100页
     ·基于FLR 的Mo/4H-SiC SBD 器件用的材料及结构图第96页
     ·基于FLR 的Mo/4H-SiC SBD 器件的研制工艺第96-98页
     ·基于 FLR 的 Mo/4H-SiC SBD 器件实验结果及分析第98-100页
   ·基于 FLR 的 Ni/4H-SiC 肖特基势垒二极管的研制第100-104页
     ·基于 FLR 的 Ni/4H-SiC SBD 器件用的材料及结构图第100-101页
     ·基于FLR 的Ni/4H-SiC SBD 器件的研制工艺第101-102页
     ·基于FLR 的Ni/4H-SiC SBD 器件实验结果及分析第102-104页
   ·基于JTE 的Ni/4H-SiC 肖特基势垒二极管的研制第104-108页
     ·基于JTE 的Ni/4H-SiC SBD 器件用的材料及结构图第104-105页
     ·基于JTE 的Ni/4H-SiC SBD 器件的研制工艺第105页
     ·基于JTE 的Ni/4H-SiC SBD 器件实验结果及分析第105-108页
   ·本章小结第108-109页
结论第109-113页
参考文献第113-123页
致谢第123-124页
附录A(攻读学位期间所发表的学术论文)第124-125页
附录B(攻读学位期间所参加的科研工作)第125页

 
 
论文编号BS418956,这篇论文共125
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