|
|
|
低功耗CMOS集成电路设计方法的研究 |
|
论文目录 |
|
摘要 | 第1-6页 | ABSTRACT | 第6-7页 | 致谢 | 第7-13页 | 第一章 绪论 | 第13-18页 | ·引言 | 第13-14页 | ·低功耗技术的研究意义 | 第14-15页 | ·低功耗技术研究现状 | 第15页 | ·低功耗技术的应用 | 第15-16页 | ·本文的研究内容、结构和创新之处 | 第16-18页 | ·研究内容 | 第16页 | ·论文结构 | 第16-17页 | ·创新之处 | 第17-18页 | 第二章 低功耗技术综述 | 第18-23页 | ·功耗估计 | 第18-19页 | ·功耗优化 | 第19-21页 | ·动态功耗优化技术 | 第19-20页 | ·静态功耗优化技术 | 第20-21页 | ·低功耗技术交叉研究 | 第21-23页 | 第三章 CMOS电路功耗设计的基本方法 | 第23-33页 | ·动态功耗 | 第23-26页 | ·功能跳变功耗 | 第23-24页 | ·短路电流功耗 | 第24-25页 | ·竞争冒险功耗 | 第25-26页 | ·动态功耗优化方法 | 第26-28页 | ·降低电源电压 | 第26-27页 | ·降低负载电容 | 第27页 | ·降低开关活动性(跳变率) | 第27-28页 | ·静态功耗 | 第28-29页 | ·静态功耗优化方法 | 第29-31页 | ·阈值电压对漏电流的影响 | 第29-30页 | ·阈值电压的调节方法 | 第30-31页 | ·其他低功耗问题 | 第31页 | ·低功耗途径 | 第31-33页 | 第四章 CMOS器件模型与工作特性 | 第33-40页 | ·MOS场效应管的结构和符号 | 第33-34页 | ·MOS管的结构 | 第33-34页 | ·MOS管的符号 | 第34页 | ·MOS管的伏安特性 | 第34-36页 | ·二阶效应 | 第36-37页 | ·体效应 | 第36页 | ·沟道长度调制效应 | 第36-37页 | ·亚阈值特性 | 第37页 | ·MOS管低频大信号等效电路 | 第37-38页 | ·MOS管低频小信号等效电路 | 第38-40页 | 第五章 具体电路设计及仿真 | 第40-58页 | ·低压低功耗模拟集成电路设计技术 | 第40-46页 | ·衬底驱动电路 | 第40-43页 | ·浮栅MOS晶体管技术 | 第43页 | ·准浮栅MOS晶体管技术 | 第43-45页 | ·亚阈值特性设计技术 | 第45-46页 | ·基于衬底偏置的MOS管的特性分析 | 第46-48页 | ·基于衬底偏置技术的低压运算放大器设计 | 第48-53页 | ·集成运放的组成 | 第48-49页 | ·电路类型 | 第49-50页 | ·CMOS差分放大器主要性能 | 第50页 | ·运算放大器的设计 | 第50-53页 | ·工作在亚阈值区的带隙基准电压源设计 | 第53-56页 | ·典型的带隙基准电压源电路 | 第53-54页 | ·低压低功耗的带隙基准电压源电路 | 第54-55页 | ·模拟结果 | 第55-56页 | ·利用准浮栅技术和衬底偏置技术的运算放大器设计 | 第56-58页 | 第六章 结论与展望 | 第58-60页 | ·论文主要成果 | 第58-59页 | ·对今后工作的展望 | 第59-60页 | 参考文献 | 第60-64页 | 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第64页 |
|
|
|
|
论文编号BS1574607,这篇论文共64页 会员购买按0.35元/页下载,共需支付22.4元。 直接购买按0.5元/页下载,共需要支付32元 。 |
|
|
我还不是会员,注册会员!
会员下载更优惠!充值送钱! |
我只需要这篇,无需注册!
直接网上支付,方便快捷! |
|
|
|
版权申明:本目录由www.jylw.com网站制作,本站并未收录原文,如果您是作者,需要删除本篇论文目录请通过QQ或其它联系方式告知我们,我们承诺24小时内删除。 |
|
|