| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 Ⅲ族氮化物材料基本性质 | 第10-13页 |
| 1.2 紫外LED应用前景和研究进展 | 第13-15页 |
| 1.3 DBR简介及GaN/AlGaN DBR发展现状 | 第15-17页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第17-18页 |
| 第2章 材料生长设备及表征方法 | 第18-31页 |
| 2.1 MOCVD系统简介 | 第18-25页 |
| 2.1.1 气体输运 | 第19-22页 |
| 2.1.2 反应室 | 第22-23页 |
| 2.1.3 原位检测 | 第23-24页 |
| 2.1.4 生长控制 | 第24-25页 |
| 2.2 材料测试分析方法 | 第25-30页 |
| 2.2.1 X射线衍射 | 第25-27页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜和原子力显微镜 | 第27-28页 |
| 2.2.3 分光光度计和电致发光测试系统 | 第28-30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 蓝宝石衬底上无裂纹AlGaN/GaN DBR的制备 | 第31-44页 |
| 3.1 薄膜应力的产生 | 第31页 |
| 3.2 AlGaN薄膜内应力的计算分析 | 第31-36页 |
| 3.2.1 外延片曲率和Stoney方程 | 第31-33页 |
| 3.2.2 AlGaN薄膜开裂的临界厚度 | 第33-36页 |
| 3.3 无裂纹AlGaN/GaN DBR的制备与分析 | 第36-43页 |
| 3.3.1 AlGaN/GaN DBR的外延生长 | 第36-37页 |
| 3.3.2 带有AlN插入层DBR的特性研究 | 第37-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 SiC衬底上带有DBR的垂直结构紫外LED制备 | 第44-59页 |
| 4.1 垂直导电结构器件模拟分析 | 第44-46页 |
| 4.1.1 SILVACO TCAD简介 | 第44页 |
| 4.1.2 水平结构与垂直结构器件特性比较 | 第44-46页 |
| 4.2 SiC衬底上AlGaN材料的外延生长 | 第46-49页 |
| 4.2.1 SiC物理性质简介 | 第46-48页 |
| 4.2.2 6H-SiC衬底上外延AlxGa1-xN | 第48-49页 |
| 4.3 AlGaN基导电DBR的制备 | 第49-54页 |
| 4.4 垂直结构紫外LED的制备与特性研究 | 第54-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第5章 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 作者简介 | 第66页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
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