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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--多晶硅清洗工艺的优化
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多晶硅清洗工艺的优化
 
     论文目录
 
摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
第1章 文献综述第10-26页
    1.1 太阳能光伏行业状况第10-11页
    1.2 多晶硅的发展第11-13页
        1.2.1 国外多晶硅的发展状况第11-12页
        1.2.2 国内多晶硅的发展状况第12-13页
    1.3 多晶硅生产工艺第13-16页
        1.3.1 硅烷热分解法第13页
        1.3.2 流化床法第13-14页
        1.3.3 冶金法第14页
        1.3.4 汽-液沉积法第14页
        1.3.5 改良西门子法第14-16页
    1.4 多晶硅的性质及分类标准第16-18页
        1.4.1 多晶硅性质第16页
        1.4.2 多晶硅分类第16-17页
        1.4.3 多晶硅质量标准第17-18页
    1.5 多晶硅外观质量及影响因素分析第18-21页
        1.5.1 温度效应第18-19页
        1.5.2 扩散效应第19-20页
        1.5.3 夹层问题第20-21页
    1.6 难处理料形成原因第21-22页
    1.7 碳头料形成原因第22-24页
    1.8 多晶硅产品质量对铸锭的影响第24-25页
    1.9 本文研究的目的及内容第25-26页
第2章 难处理料清洗实验第26-46页
    2.1 实验原料及试剂第27页
    2.2 实验设备第27-28页
    2.3 检测仪器及方法第28-30页
        2.3.1 多晶硅表金属杂质含量检测方法第28-29页
        2.3.2 多晶方锭少子寿命检测方法第29页
        2.3.3 多晶方锭电阻率检测方法第29-30页
    2.4 实验工艺流程及主体设备第30-34页
        2.4.1 实验工艺流程第30页
        2.4.2 实验主体设备第30-34页
    2.5 实验原理第34页
    2.6 实验过程第34-35页
    2.7 实验结果讨论第35-44页
        2.7.1 碱液浓度对多晶硅外观特征的影响第35-37页
        2.7.2 混酸比例对多晶硅外观特征的影响第37-39页
        2.7.3 纯水冲洗次数对硅料pH值的影响第39-40页
        2.7.4 超声洗涤时间对硅料表金属杂质含量的影响第40-41页
        2.7.5 甩干时间对硅料表金属杂质含量的影响第41页
        2.7.6 清洗前后难处理料表金属杂质含量对比第41-42页
        2.7.7 清洗后难处理料使用效果分析第42-44页
    2.8 本章小结第44-46页
第3章 碳头料清洗实验第46-60页
    3.1 实验原料及试剂第46-47页
    3.2 实验设备第47页
    3.3 实验原理第47-48页
    3.4 实验方案及结果讨论第48-58页
        3.4.1 不同HNO_3与H_2SO_4混酸比例对石墨分离效果的影响第48页
        3.4.2 HNO_3与H_2SO_4混酸对不同类型碳头料的影响第48-50页
        3.4.3 体积比 1:4 的HF和HNO_3混酸对碳头料的影响第50-52页
        3.4.4 体积比 1:4 的HF和HNO_3混酸对经过预处理碳头料的影响第52-54页
        3.4.5 纯水冲洗次数对碳头料pH值的影响第54页
        3.4.6 超声洗涤时间对碳头料表金属杂质含量的影响第54-55页
        3.4.7 清洗前后碳头料结构分析第55-56页
        3.4.8 清洗前后碳头料表金属杂质含量对比第56-57页
        3.4.9 清洗后碳头料的使用效果分析第57-58页
    3.5 本章小结第58-60页
第4章 结论与展望第60-64页
    4.1 论文结论第60-61页
    4.2 论文展望第61-64页
参考文献第64-68页
发表论文和参加科研情况第68-69页
致谢第69-70页

 
 
论文编号BS3397957,这篇论文共70
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