摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-11页 |
第一章 绪论 | 第11-29页 |
·太阳能电池简介 | 第11-17页 |
·太阳能 | 第11页 |
·太阳辐射光谱 | 第11-12页 |
·太阳能电池的发展 | 第12-16页 |
·太阳能电池工作原理 | 第16-17页 |
·TiO_2的制备方法 | 第17-20页 |
·溶胶-凝胶法 | 第17-18页 |
·水热合成法 | 第18页 |
·阳极氧化法 | 第18-19页 |
·物理气相沉积法 | 第19页 |
·其他制备方法 | 第19页 |
·TiO_2纳米棒的制备方法 | 第19-20页 |
·TiO_2薄膜的改性 | 第20-24页 |
·表面贵金属沉积 | 第20-21页 |
·非金属离子掺杂 | 第21-22页 |
·半导体光敏化 | 第22页 |
·半导体复合 | 第22-24页 |
·CdSe研究进展 | 第24-26页 |
·CdSe的制备 | 第24-26页 |
·电化学沉积制备CdSe存在的问题 | 第26页 |
·选题依据与研究内容 | 第26-29页 |
第二章 TiO_2纳米阵列的制备及形成机理 | 第29-41页 |
·引言 | 第29页 |
·实验部分 | 第29-31页 |
·实验原料及设备 | 第29-30页 |
·TiO_2纳米棒阵列薄膜的制备 | 第30-31页 |
·测试与分析 | 第31页 |
·结果与讨论 | 第31-39页 |
·前驱液浓度对TiO_2纳米棒阵列形貌的影响 | 第31-33页 |
·HCl含量对TiO_2纳米棒阵列形貌的影响 | 第33-34页 |
·反应时间对TiO_2纳米棒阵列形貌的影响 | 第34-35页 |
·反应温度对TiO_2纳米棒阵列形貌的影响 | 第35-36页 |
·XRD分析 | 第36-37页 |
·UV-Vis分析 | 第37-38页 |
·TiO_2纳米棒的形成机理 | 第38-39页 |
·本章小结 | 第39-41页 |
第三章 退火温度对CdSe纳米薄膜的形成及光电性能影响 | 第41-51页 |
·引言 | 第41页 |
·实验部分 | 第41-43页 |
·实验原料及设备 | 第41-42页 |
·CdSe纳米薄膜样品的制备 | 第42-43页 |
·测试与分析 | 第43页 |
·结果与讨论 | 第43-49页 |
·SEM分析 | 第43-44页 |
·AFM分析 | 第44-45页 |
·XRD分析 | 第45-46页 |
·XPS分析 | 第46-48页 |
·UV-Vis分析 | 第48页 |
·光电流分析 | 第48-49页 |
·本章小结 | 第49-51页 |
第四章 CdSe/TiO_2异质结薄膜的制备及其光电性能的研究 | 第51-85页 |
·引言 | 第51页 |
·实验部分 | 第51-53页 |
·实验原料及设备 | 第51-52页 |
·CdSe/TiO_2异质结纳米薄膜的制备 | 第52-53页 |
·测试与分析 | 第53页 |
·结果与讨论 | 第53-84页 |
·循环伏安法制备CdSe/TiO_2异质结薄膜 | 第53-55页 |
·SeO_2添加量对CdSe/TiO_2异质结薄膜形貌及光电性能的影响 | 第55-61页 |
·沉积时间对CdSe/TiO_2异质结薄膜形貌及光电性能的影响 | 第61-66页 |
·电沉积制备CdSe/TiO_2异质结薄膜最佳方案 | 第66-68页 |
·退火温度对CdSe/TiO_2薄膜形貌及光电性能的影响 | 第68-79页 |
·退火时间对CdSe/TiO_2薄膜形貌及光电性能的影响 | 第79-84页 |
·本章小结 | 第84-85页 |
第五章 结论与展望 | 第85-87页 |
·结论 | 第85-86页 |
·展望 | 第86-87页 |
参考文献 | 第87-97页 |
致谢 | 第97-99页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第99页 |