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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--功率MOSFET的终端耐压特性研究
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功率MOSFET的终端耐压特性研究
 
     论文目录
 
摘要第6-7页
ABSTRACT第7页
第一章 绪论第10-17页
    1.1 研究背景及意义第10-11页
    1.2 功率MOSFET的研究现状第11-15页
    1.3 边端技术的发展状况第15-16页
    1.4 本文的主要工作第16-17页
第二章 功率MOSFET的元胞与边端第17-29页
    2.1 功率MOSFET的结构第17-18页
    2.2 功率MOSFET的重要参数第18-24页
        2.2.1 阈值电压(VTH)第18-19页
        2.2.2 导通电阻(Rds(on))第19-22页
        2.2.3 击穿电压(BV)第22-24页
    2.3 PN结理论第24-28页
        2.3.1 无限大平面结的击穿原理第24-25页
        2.3.2 柱状结的击穿原理第25-28页
    2.4 本章小结第28-29页
第三章 功率MOSFET的边端技术与仿真第29-40页
    3.1 场限环技术与场限环仿真研究第29-35页
        3.1.1 单场限环的简单原理第30-32页
        3.1.2 单场限环的仿真研究第32-35页
    3.2 场板技术与场板仿真研究第35-38页
        3.2.1 场板的结构及原理第35-36页
        3.2.2 场板的仿真研究第36-38页
    3.3 横向变掺杂技术的研究第38-39页
    3.4 本章小结第39-40页
第四章 场限环与场板复合应用下的900V边端设计第40-49页
    4.1 设计方法概述第40-43页
    4.2 三场环的边端设计第43-45页
    4.3 900V场环场板的复合边端设计的优化第45-48页
    4.4 本章小结第48-49页
第五章 横向变掺杂应用下的900V边端设计第49-55页
    5.1 设计方法概述第49-50页
    5.2 VLD仿真设计与验证第50-54页
    5.3 本章小结第54-55页
结论与未来的工作第55-56页
致谢第56-57页
参考文献第57-61页
硕士期间发表的论文第61页

 
 
论文编号BS2685508,这篇论文共61
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