| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-26页 |
| 1.1 GaN基材料特性及其发展 | 第16-18页 |
| 1.1.1 GaN基材料的特性及优势 | 第16-17页 |
| 1.1.2 GaN基材料的研究历程 | 第17-18页 |
| 1.2 GaN基异质结材料、多沟道材料及器件的发展 | 第18-23页 |
| 1.2.1 AlGaN/GaN异质结材料与器件的发展历程及研究现状 | 第18-19页 |
| 1.2.2 多沟道AlGaN/GaN材料与器件的研究进展与现状 | 第19-23页 |
| 1.3 本论文的研究内容和安排 | 第23-26页 |
| 第二章 GaN基异质结基础理论 | 第26-38页 |
| 2.1 GaN基异质结的理论基础 | 第26-30页 |
| 2.1.1 GaN基异质结的物理基础 | 第26-27页 |
| 2.1.2 GaN基异质结的极化效应 | 第27-28页 |
| 2.1.3 GaN基异质结的 2DEG理论 | 第28-30页 |
| 2.2 GaN材料的掺杂 | 第30-31页 |
| 2.3 氮化物材料性质测试分析 | 第31-36页 |
| 2.3.1 XRD | 第31-32页 |
| 2.3.2 AFM | 第32-33页 |
| 2.3.3 TEM | 第33-34页 |
| 2.3.4 拉曼散射 | 第34页 |
| 2.3.5 电学特性表征—霍尔（Hall）测试 | 第34-35页 |
| 2.3.6 电容-电压测试 | 第35-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 掺杂双沟道AlGaN/GaN异质结材料特性研究 | 第38-52页 |
| 3.1 GaN体材料掺杂的材料特性研究 | 第38-44页 |
| 3.1.1 掺杂体GaN材料的生长 | 第38-39页 |
| 3.1.2 掺杂体GaN材料的测试结果分析 | 第39-44页 |
| 3.2 双沟道AlGaN/GaN势垒层掺杂的特性研究 | 第44-50页 |
| 3.2.1 双沟道AlGaN/GaN材料的生长 | 第44-45页 |
| 3.2.2 双沟道AlGaN/GaN结构的特性研究 | 第45-50页 |
| 3.3 本章总结 | 第50-52页 |
| 第四章 多沟道AlGaN/GaN异质结材料研究 | 第52-58页 |
| 4.1 十沟道AlGaN/GaN异质结材料的探索研究 | 第52-55页 |
| 4.1.1 十沟道AlGaN/GaN异质结材料的生长实现 | 第52页 |
| 4.1.2 十沟道AlGaN/GaN异质结材料的探索和分析 | 第52-55页 |
| 4.2 多沟道对位错影响 | 第55-56页 |
| 4.3 本章总结 | 第56-58页 |
| 第五章 总结 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 作者简介 | 第66-67页 |
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