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当前位置:教育论文中心首页--博士论文--基于柔性基体的InGaAs MOSFET的设计及关键工艺研究
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基于柔性基体的InGaAs MOSFET的设计及关键工艺研究
 
     论文目录
 
摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
符号对照表第15-17页
缩略语对照表第17-21页
第一章 绪论第21-31页
    1.1 前言第21页
    1.2 InGaAs基MOSFET的优势第21-24页
    1.3 柔性可弯曲延展无机电子器件系统研究的前景第24-26页
    1.4 柔性化InGaAs MOSFET器件平台的优势第26-29页
        1.4.1 国内外研究进展第27-28页
        1.4.2 柔性可弯曲InGaAs MOSFET制备的关键问题的研究第28-29页
    1.5 本文的主要研究内容第29-31页
第二章 Ⅲ-Ⅴ MOSFET及MOS电容器件理论第31-47页
    2.1 Ⅲ-Ⅴ MOSFET在高速低功耗数字电路领域应用前景第31-33页
        2.1.1 国际半导体新技术发展前瞻第31-32页
        2.1.2 高性能低功耗数字电路应用:Ⅲ-Ⅴ MOSFET vs.Ⅲ-Ⅴ HEMT第32-33页
    2.2 Ⅲ-Ⅴ MOSFET关键特性参数第33-37页
        2.2.1 亚阈值摆幅(SS)第34-35页
        2.2.2 漏端引入的势垒降低效应(DIBL)第35-36页
        2.2.3 栅致漏极漏电效应(GIDL)第36-37页
        2.2.4 I_(on)/I_(off)比值第37页
    2.3 Ⅲ-Ⅴ MOS结构界面物理及电路模型和界面态密度的提取方法研究第37-42页
        2.3.1 介质层/Ⅲ-Ⅴ 界面物理模型第37-39页
        2.3.2 Ⅲ-Ⅴ MOS电容结构的电路模型分析第39-42页
    2.4 界面态密度的主要提取方法第42-45页
        2.4.1 C-V提取法第42-43页
        2.4.2 电导法第43-45页
        2.4.3 高K介质/Ⅲ-Ⅴ界面态密度D_(it)精确提取的实现条件第45页
    2.5 本章小结第45-47页
第三章 高K介质的GaAs MOS电容研究第47-71页
    3.1 氧化层/Ⅲ-Ⅴ 界面费米能级钉扎的成因以及改善其界面特性的方法第47-53页
        3.1.1 氧化层/GaAs界面费米能级钉扎的成因第47-48页
        3.1.2 氧化层/GaAs界面特性的改善技术研究第48-53页
    3.2 GaAs MOS电容基本电特性以及界面特性参数提取第53-56页
        3.2.1 GaAs MOS电容的C-V特性第53-54页
        3.2.2 界面态密度D_(it)提取的具体方法第54-55页
        3.2.3 GaAs MOS电容电流输运机制第55-56页
    3.3 Al/Al_2O_3/ZnO/n-GaAs MOS电容界面特性研究第56-62页
        3.3.1 MOS电容制备第56页
        3.3.2 测试结果与分析第56-62页
    3.4 介质ALD生长以及介质淀积后退火温度对HfO_2/p-GaAs MOS电容界面以及电学特性的影响研究第62-70页
        3.4.1 实验样品制备第62-63页
        3.4.2 界面表征研究第63-70页
    3.5 本章小结第70-71页
第四章 COMSOL仿真平台介绍及GaAs纳米功能薄膜可弯曲机械性能模拟第71-91页
    4.1 COMSOL Multiphysics仿真软件平台介绍第71-72页
        4.1.1 COMSOL Multiphysics软件简介第71页
        4.1.2 结构力学模块(Structural Mechanics Module)第71-72页
    4.2 GaAs纳米薄膜可弯曲机械性能的COMSOL模拟计算第72-77页
        4.2.1 简化的模型结构和相关的物理参数第72-73页
        4.2.2 模型结构的力学弯曲模拟和分析第73-77页
    4.3 纳米级功能薄膜层转印理论第77-81页
        4.3.1 转印的基本概念第77-78页
        4.3.2 转印技术的机械原理第78-79页
        4.3.3 转印技术的定量研究第79-81页
    4.4 可实现转印的InGaAs MOSFET外延结构设计与薄膜层剥离工艺的优化第81-89页
        4.4.1 可转印的半导体外延材料结构设计第81-83页
        4.4.2 功能薄膜层(Nanomembrane)undercut工艺的优化和薄膜层表面polishing技术的研究第83-89页
    4.5 本章小结第89-91页
第五章 基于柔性衬底的In_(0.2)Ga_(0.8)As MOSFET关键工艺研究及器件制备第91-117页
    5.1 基于柔性衬底的In_(0.2)Ga_(0.8)As MOSFET版图设计第91-93页
    5.2 离子注入及欧姆接触特性研究第93-100页
        5.2.1 Si离子注入实验设计第93-94页
        5.2.2 N型In_(0.2)Ga_(0.8)As欧姆接触研究第94-100页
    5.3 InGaAs membrane转印技术的研究第100-106页
        5.3.1 Etching hole干法刻蚀工艺第101-104页
        5.3.2 功能薄膜层转印方法的研究第104-106页
    5.4 基于柔性衬底的InGaAs MOSFET器件制备及电学特性表征第106-115页
        5.4.1 初始样品第106-107页
        5.4.2 器件制备的详细工艺流程第107-111页
        5.4.3 电学测试与结果分析第111-115页
    5.5 本章小结第115-117页
第六章 总结与展望第117-121页
参考文献第121-131页
致谢第131-133页
作者简介第133-134页

 
 
论文编号BS3404158,这篇论文共134
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