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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--抗辐射加固SRAM设计
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抗辐射加固SRAM设计
 
     论文目录
 
摘要第1-7页
ABSTRACT第7-13页
缩略语对照表第13-17页
第一章 绪论第17-23页
   ·课题背景第17-19页
   ·国内外研究现状第19-20页
   ·本文主要工作和研究成果第20页
   ·本文的内容安排第20-23页
第二章 辐射环境及辐射效应第23-31页
   ·空间辐射环境第23-25页
     ·地球辐射带第23-24页
     ·太阳宇宙射线第24页
     ·银河宇宙射线第24-25页
   ·空间辐射效应第25-29页
     ·总剂量效应第25-26页
     ·单粒子效应第26-28页
     ·剂量率效应第28-29页
   ·本章小结第29-31页
第三章 存储单元设计第31-47页
   ·SRAM存储单元第31-32页
   ·SRAM存储单元工作原理第32-39页
     ·SRAM存储单元读操作第32-34页
     ·SRAM存储单元写操作第34-35页
     ·SRAM存储单元稳定性第35-39页
   ·存储单元的单粒子翻转机理第39-40页
   ·存储单元的加固方法第40-44页
     ·存储单元的抗SEU加固第40-44页
     ·存储单元的抗SEL加固第44页
   ·双端口储存单元的设计第44-46页
     ·1R1W结构存储单元第44-45页
     ·2RW结构存储单元第45-46页
   ·本章小结第46-47页
第四章 SRAM外围电路的设计第47-59页
   ·总体电路设计第47页
   ·控制电路设计第47-49页
   ·译码电路设计第49-50页
   ·灵敏放大器的设计第50-55页
     ·电流镜型电压灵敏放大器第51-52页
     ·差分耦合电压灵敏放大器第52-53页
     ·锁存型电压灵敏放大器第53-55页
   ·数据I/O的设计第55页
   ·系统级电路设计第55-58页
     ·三模冗余第55-56页
     ·EDAC电路设计第56-58页
   ·本章小结第58-59页
第五章 抗辐射加固SRAM版图设计第59-69页
   ·全定制版图设计流程第59-60页
   ·SRAM整体规划布局第60-61页
   ·版图级SEL的加固方法第61页
   ·各模块的设计第61-66页
     ·存储单元版图设计第61-63页
     ·灵敏放大器版图设计第63页
     ·译码电路版图设计第63-65页
     ·控制电路版图设计第65-66页
   ·EDAC版图第66页
   ·SRAM整体版图第66-67页
   ·SRAM物理信息库的生成第67页
   ·本章小结第67-69页
第六章 抗辐射加固SRAM仿真验证第69-81页
   ·版图的检查第69-72页
     ·DRC检查第69-70页
     ·LVS检查第70-71页
     ·寄生参数提取第71-72页
   ·存储单元的仿真验证第72-77页
     ·存储单元读能力仿真第72-73页
     ·存储单元写容限仿真第73-74页
     ·存储单元写容限仿真第74-75页
     ·存储单元写容限仿真第75-77页
   ·灵敏放大器的仿真验证第77-78页
   ·SRAM的整体仿真第78-79页
   ·SRAM存储单元的SEL仿真第79-80页
   ·本章小结第80-81页
第七章 总结与展望第81-83页
   ·工作总结第81页
   ·未来展望第81-83页
参考文献第83-85页
致谢第85-87页
作者简介第87-88页

 
 
论文编号BS2436009,这篇论文共88
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