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抗辐射加固SRAM设计 |
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论文目录 |
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摘要 | 第1-7页 | ABSTRACT | 第7-13页 | 缩略语对照表 | 第13-17页 | 第一章 绪论 | 第17-23页 | ·课题背景 | 第17-19页 | ·国内外研究现状 | 第19-20页 | ·本文主要工作和研究成果 | 第20页 | ·本文的内容安排 | 第20-23页 | 第二章 辐射环境及辐射效应 | 第23-31页 | ·空间辐射环境 | 第23-25页 | ·地球辐射带 | 第23-24页 | ·太阳宇宙射线 | 第24页 | ·银河宇宙射线 | 第24-25页 | ·空间辐射效应 | 第25-29页 | ·总剂量效应 | 第25-26页 | ·单粒子效应 | 第26-28页 | ·剂量率效应 | 第28-29页 | ·本章小结 | 第29-31页 | 第三章 存储单元设计 | 第31-47页 | ·SRAM存储单元 | 第31-32页 | ·SRAM存储单元工作原理 | 第32-39页 | ·SRAM存储单元读操作 | 第32-34页 | ·SRAM存储单元写操作 | 第34-35页 | ·SRAM存储单元稳定性 | 第35-39页 | ·存储单元的单粒子翻转机理 | 第39-40页 | ·存储单元的加固方法 | 第40-44页 | ·存储单元的抗SEU加固 | 第40-44页 | ·存储单元的抗SEL加固 | 第44页 | ·双端口储存单元的设计 | 第44-46页 | ·1R1W结构存储单元 | 第44-45页 | ·2RW结构存储单元 | 第45-46页 | ·本章小结 | 第46-47页 | 第四章 SRAM外围电路的设计 | 第47-59页 | ·总体电路设计 | 第47页 | ·控制电路设计 | 第47-49页 | ·译码电路设计 | 第49-50页 | ·灵敏放大器的设计 | 第50-55页 | ·电流镜型电压灵敏放大器 | 第51-52页 | ·差分耦合电压灵敏放大器 | 第52-53页 | ·锁存型电压灵敏放大器 | 第53-55页 | ·数据I/O的设计 | 第55页 | ·系统级电路设计 | 第55-58页 | ·三模冗余 | 第55-56页 | ·EDAC电路设计 | 第56-58页 | ·本章小结 | 第58-59页 | 第五章 抗辐射加固SRAM版图设计 | 第59-69页 | ·全定制版图设计流程 | 第59-60页 | ·SRAM整体规划布局 | 第60-61页 | ·版图级SEL的加固方法 | 第61页 | ·各模块的设计 | 第61-66页 | ·存储单元版图设计 | 第61-63页 | ·灵敏放大器版图设计 | 第63页 | ·译码电路版图设计 | 第63-65页 | ·控制电路版图设计 | 第65-66页 | ·EDAC版图 | 第66页 | ·SRAM整体版图 | 第66-67页 | ·SRAM物理信息库的生成 | 第67页 | ·本章小结 | 第67-69页 | 第六章 抗辐射加固SRAM仿真验证 | 第69-81页 | ·版图的检查 | 第69-72页 | ·DRC检查 | 第69-70页 | ·LVS检查 | 第70-71页 | ·寄生参数提取 | 第71-72页 | ·存储单元的仿真验证 | 第72-77页 | ·存储单元读能力仿真 | 第72-73页 | ·存储单元写容限仿真 | 第73-74页 | ·存储单元写容限仿真 | 第74-75页 | ·存储单元写容限仿真 | 第75-77页 | ·灵敏放大器的仿真验证 | 第77-78页 | ·SRAM的整体仿真 | 第78-79页 | ·SRAM存储单元的SEL仿真 | 第79-80页 | ·本章小结 | 第80-81页 | 第七章 总结与展望 | 第81-83页 | ·工作总结 | 第81页 | ·未来展望 | 第81-83页 | 参考文献 | 第83-85页 | 致谢 | 第85-87页 | 作者简介 | 第87-88页 |
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