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当前位置:教育论文中心首页--博士论文--过渡金属硫族化合物五碲化锆(ZrTe5)和二碲化钨(WTe2)的STM研究
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过渡金属硫族化合物五碲化锆(ZrTe5)和二碲化钨(WTe2)的STM研究
 
     论文目录
 
摘要第2-4页
Abstract第4-6页
第一章 绪论第10-39页
    1.1 本章简介第10-11页
    1.2 自旋电子学第11-15页
    1.3 拓扑相和拓扑相变第15-16页
    1.4 量子自旋霍尔效应第16-22页
    1.5 拓扑绝缘体第22-29页
    1.6 拓扑量子态的发展第29-32页
    1.7 本论文的研究内容第32-33页
    参考文献第33-39页
第二章 实验仪器和实验原理第39-61页
    2.1 本章简介第39页
    2.2 扫描隧道显微镜技术第39-47页
        2.2.1 STM的基本原理第39-42页
        2.2.2 STM的主要结构第42-45页
        2.2.3 STM的扫描模式第45-46页
        2.2.4 STM的震动隔离系统第46-47页
    2.3 极低温技术第47-51页
    2.4 超高真空技术第51-56页
    2.5 分子束外延技术第56-59页
    参考文献第59-61页
第三章 拓扑绝缘体ZrTe_5的STM研究第61-88页
    3.1 本章简介第61-62页
    3.2 量子自旋霍尔态的发展第62-68页
        3.2.1 Bi(111)薄膜第62-64页
        3.2.2 Si、Ge、Sn等材料第64-66页
        3.2.3 HgTe量子阱第66-68页
    3.3 ZrTe_5的理论预言和研究现状第68-69页
    3.4 ZrTe_5的STM研究第69-83页
        3.4.1 单晶ZrTe_5样品的制备和STM实验过程第69-70页
        3.4.2 ZrTe_5表面原子结构和电子态的STM/STS研究第70-74页
        3.4.3 ZrTe_5表面拓扑边界态的STM/STS研究第74-83页
    3.5 本章小结第83页
    参考文献第83-88页
第四章 量子自旋霍尔态在磁场下的演化第88-104页
    4.1 本章简介第88页
    4.2 磁场和磁性杂质对狄拉克费米子影响的研究背景第88-94页
        4.2.1 石墨烯中的朗道量子化第88-89页
        4.2.2 三维拓扑绝缘体表面态在磁场下的朗道能级第89-92页
        4.2.3 磁性杂质对表面态的影响第92-94页
    4.3 时间反演对称性破缺的量子自旋霍尔态的研究现状第94页
    4.4 ZrTe_5表面的拓扑边界态在磁场下演化的STM/STS研究第94-100页
    4.5 本章小结第100页
    参考文献第100-104页
第五章 WTe_2的SIM研究第104-117页
    5.1 本章简介第104页
    5.2 WTe_2的巨磁阻效应的研究背景第104-106页
    5.3 WTe_2的STM研究第106-114页
        5.3.1 WTe_2表面原子结构和电子态的STM/STS研究第107-109页
        5.3.2 外磁场对WTe_2表面电子驻波的影响第109-114页
    5.4 本章小结第114页
    参考文献第114-117页
第六章 结论第117-119页
攻读博士期间获得的学术成果和奖励第119-120页
致谢第120-121页

 
 
论文编号BS2523809,这篇论文共121
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