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介孔氧化硅和氧化硅复合物的制备与应用 |
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论文目录 |
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学位论文主要创新点 | 第3-4页 | 摘要 | 第4-5页 | ABSTRACT | 第5-6页 | 第一章 前言 | 第9-27页 | 1.1 引言 | 第9-10页 | 1.2 介孔二氧化硅分子筛的发展现状 | 第10-22页 | 1.2.1 介孔二氧化硅的基本类型 | 第10-13页 | 1.2.1.1 二维结构相 | 第10-11页 | 1.2.1.2 三维六方相 | 第11-12页 | 1.2.1.3 立方相 | 第12-13页 | 1.2.1.4 无序相 | 第13页 | 1.2.2 介孔二氧化硅的制备途径 | 第13-18页 | 1.2.2.1 水热合成 | 第14-16页 | 1.2.2.2 非水合成技术 | 第16-17页 | 1.2.2.3 二氧化硅介孔材料孔径控制 | 第17-18页 | 1.2.3 介孔氧化硅材料的形成机理 | 第18-20页 | 1.2.3.1 液晶模板机理 | 第18-19页 | 1.2.3.2 协同组装机理 | 第19-20页 | 1.2.4 介孔二氧化硅分子筛的掺杂 | 第20-22页 | 1.2.4.1 铝的掺杂 | 第21页 | 1.2.4.2 硼的掺杂 | 第21-22页 | 1.2.4.3 镓和铟的掺杂 | 第22页 | 1.2.4.4 过渡金属的掺杂 | 第22页 | 1.3 介孔二氧化硅材料的应用进展 | 第22-24页 | 1.3.1 在催化剂及其载体领域的应用 | 第22-23页 | 1.3.2 在生物和分离吸附领域的应用 | 第23页 | 1.3.3 在光电领域的应用 | 第23-24页 | 1.3.4 在电化学领域的应用 | 第24页 | 1.4 本论文的研究内容及意义 | 第24-27页 | 第二章 实验部分 | 第27-35页 | 2.1 实验试剂与仪器 | 第27-28页 | 2.2 实验方法 | 第28-33页 | 2.2.1 磷酸盐辅助法制备介孔二氧化硅 | 第28-29页 | 2.2.2 硫酸盐辅助法制备介孔二氧化硅 | 第29-30页 | 2.2.3 光催化剂Bi_2O_3/SiO_2复合材料的制备 | 第30页 | 2.2.4 酯化反应 | 第30页 | 2.2.5 光催化实验 | 第30-32页 | 2.2.6 吸附实验 | 第32-33页 | 2.2.7 羟基自由基的确定和检测 | 第33页 | 2.3 分析表征方法 | 第33-35页 | 2.3.1 酸碱滴定法测定酸密度 | 第33页 | 2.3.2 场发射扫描电子显微镜 | 第33页 | 2.3.3 透射电子显微镜 | 第33-34页 | 2.3.4 X-射线粉末衍射 | 第34页 | 2.3.5 X射线光电子能谱 | 第34页 | 2.3.6 N_2吸附分析 | 第34页 | 2.3.7 紫外可见吸收光谱 | 第34页 | 2.3.8 紫外可见漫反射光谱 | 第34页 | 2.3.9 傅里叶变换红外光谱 | 第34-35页 | 第三章 磷酸盐辅助法快速制备有序介孔二氧化硅 | 第35-47页 | 3.1 TPU-2的制备与表征分析 | 第35-39页 | 3.1.1 TPU-2的制备 | 第35-36页 | 3.1.2 TPU-2的表征和分析 | 第36-39页 | 3.2 PH值的影响 | 第39-42页 | 3.3 静置时间的影响 | 第42-44页 | 3.4 假设的介孔二氧化硅材料的形成机理 | 第44-45页 | 3.5 本章小结 | 第45-47页 | 第四章 硫酸盐辅助法快速制备有序介孔二氧化硅材料及其功能化应用 | 第47-55页 | 4.1 MS的制备与表征分析 | 第47-50页 | 4.1.1 MS的制备 | 第47-48页 | 4.1.2 MS的表征和分析 | 第48-50页 | 4.2 酸催化剂HS-C/MS-X的表征分析 | 第50-53页 | 4.3 酸催化剂HS-C/MS-X的催化活性 | 第53-54页 | 4.4 本章小结 | 第54-55页 | 第五章 光催化剂Bi_2O_3/SiO_2纳米复合材料的合成及光催化性能研究 | 第55-67页 | 5.1 Bi_2O_3/SiO_2材料的表征分析 | 第56-59页 | 5.2 Bi_2O_3/SiO_2材料的光学性质和带隙能量 | 第59-60页 | 5.3 Bi_2O_3/SiO_2材料的光催化活性 | 第60-62页 | 5.4 光催化机理的研究 | 第62-63页 | 5.5 Bi_2O_3/SiO_2-1的吸附性质 | 第63-65页 | 5.6 本章小结 | 第65-67页 | 第六章 总结 | 第67-69页 | 参考文献 | 第69-79页 | 攻读硕士期间发表论文情况 | 第79-81页 | 附录 | 第81-83页 | 致谢 | 第83页 |
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