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GaN基电子器件小信号等效电路参数提取与分析 |
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| 论文目录 |
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| 摘要 | 第6-7页 | | Abstract | 第7-8页 | | 第一章 绪论 | 第9-14页 | | 1.1 GaN基材料及微波器件研究背景 | 第9-11页 | | 1.2 GaN基电子器件小信号等效电路研究现状 | 第11-12页 | | 1.3 本文的研究内容与安排 | 第12-14页 | | 第二章 GaN HEMTs工作原理与二端口网络模型 | 第14-24页 | | 2.1 GaN HEMTs工作原理 | 第14-16页 | | 2.2 GaN HEMTs器件结构 | 第16-17页 | | 2.3 GaN HEMTs器件制备与测试 | 第17-19页 | | 2.4 二端口网络参数矩阵 | 第19-24页 | | 第三章 GaN HEMTs等效电路模型 | 第24-37页 | | 3.1 GaN小信号等效电路模型 | 第24-25页 | | 3.2 等效电路模型各元件物理意义 | 第25-27页 | | 3.3 小信号等效电路参数提取 | 第27-34页 | | 3.4 模型的验证与仿真 | 第34-37页 | | 第四章 GaN HEMTs等效电路参数分析 | 第37-49页 | | 4.1 GaN HEMTs源电阻特性分析 | 第37-39页 | | 4.2 GaN HEMTs频率特性分析 | 第39-45页 | | 4.3 GaN HEMTs跨导特性分析 | 第45-49页 | | 第五章 GaN HEMTs电流崩塌效应研究 | 第49-54页 | | 5.1 GaN HEMTs电流崩塌现象 | 第49-51页 | | 5.2 GaN HEMTs电流崩塌机理 | 第51-54页 | | 第六章 总结 | 第54-55页 | | 致谢 | 第55-56页 | | 参考文献 | 第56-60页 | | 附件 | 第60页 |
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论文编号BS2801759，这篇论文共60页
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