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硅化钛薄膜的APCVD工艺研究 |
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| 论文目录 |
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| 摘要 | 第3-5页 | | ABSTRACT | 第5-6页 | | 第1章 绪论 | 第10-24页 | | 1.1 引言 | 第10页 | | 1.2 硅化钛的结构与性质 | 第10-13页 | | 1.2.1 Ti_5Si_3的结构与性质 | 第11-12页 | | 1.2.2 TiSi_2的结构与性质 | 第12-13页 | | 1.3 硅化钛的制备方法 | 第13-20页 | | 1.3.1 原位合成法 | 第13-15页 | | 1.3.2 物理气相沉积(PVD)法 | 第15-18页 | | 1.3.3 化学气相沉积(CVD)法 | 第18-20页 | | 1.4 硅化钛的应用 | 第20-22页 | | 1.4.1 高温结构材料 | 第20-21页 | | 1.4.2 镀膜材料 | 第21页 | | 1.4.3 电子器件材料 | 第21-22页 | | 1.4.4 微电极或微传感器材料 | 第22页 | | 1.5 本课题研究内容 | 第22-23页 | | 1.6 创新点 | 第23-24页 | | 第2章 实验 | 第24-33页 | | 2.1 工艺概况 | 第24-28页 | | 2.1.1 原料的选择 | 第24-25页 | | 2.1.2 实验仪器 | 第25页 | | 2.1.3 实验装置 | 第25-27页 | | 2.1.4 工艺流程 | 第27-28页 | | 2.2 样品制备过程 | 第28-31页 | | 2.2.1 实验预处理 | 第28页 | | 2.2.2 影响因素的确定 | 第28-29页 | | 2.2.3 气体流量校正 | 第29-30页 | | 2.2.4 实验操作步骤 | 第30-31页 | | 2.3 分析和测试方法 | 第31-33页 | | 2.3.1 X 射线衍射(XRD) | 第31页 | | 2.3.2 电子扫描显微镜(SEM) | 第31-32页 | | 2.3.3 四探针测试仪 | 第32-33页 | | 第3章 APCVD 法硅化钛薄膜工艺的初步研究 | 第33-42页 | | 3.1 引言 | 第33页 | | 3.2 硅化钛薄膜的初步研究 | 第33-36页 | | 3.2.1 晶型结构的初步分析 | 第33-35页 | | 3.2.2 晶相生长的初步分析 | 第35-36页 | | 3.3 硅化钛的热力学 | 第36-41页 | | 3.3.1 Ti_5Si_3形成的热力学分析 | 第37-39页 | | 3.3.2 TiSi_2形成的热力学分析 | 第39-41页 | | 3.4 本章小结 | 第41-42页 | | 第4章 玻璃基板上 Ti_5Si_3薄膜晶相形成的研究 | 第42-56页 | | 4.1 引言 | 第42页 | | 4.2 沉积条件对 Ti_5Si_3薄膜晶相形成的影响 | 第42-53页 | | 4.2.1 Si/Ti 摩尔比 | 第42-46页 | | 4.2.2 反应温度 | 第46-50页 | | 4.2.3 沉积时间 | 第50-53页 | | 4.3 电学性能分析 | 第53-55页 | | 4.4 本章小结 | 第55-56页 | | 第5章 玻璃基板上 TiSi_2薄膜晶相形成的研究 | 第56-71页 | | 5.1 引言 | 第56页 | | 5.2 沉积条件对 TiSi_2薄膜晶相形成的影响 | 第56-68页 | | 5.2.1 Si/Ti 摩尔比 | 第56-60页 | | 5.2.2 反应温度 | 第60-64页 | | 5.2.3 沉积时间 | 第64-68页 | | 5.3 电学性能分析 | 第68-69页 | | 5.4 本章小结 | 第69-71页 | | 第6章 结论与展望 | 第71-73页 | | 6.1 结论 | 第71-72页 | | 6.2 展望 | 第72-73页 | | 致谢 | 第73-74页 | | 参考文献 | 第74-78页 | | 攻读学位期间的研究成果 | 第78页 |
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论文编号BS3692109，这篇论文共78页
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