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基于小波分析的CMOS电路IDDT故障诊断新技术
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【电工技师论文】基于小波分析的CMOS电路IDDT故障诊断新技术摘要：本文介绍了CMOS数字集成电路故障诊断技术的基本方法，探讨了基于小波分析的CMOS电路瞬态电流IDDT故障诊断新技术的基本原理和作用。论述了该故障诊断新技术的国内外研究动态，展望了其在超大规模集成电路VLSI故障诊断、失效机理研究、可靠性提高等方面的作用、意义及其广阔的应用前景。
关键词：故障诊断、瞬态电流IDDT、小波分析、故障特征参数。
1引言
传统的集成电路故障定位和故障诊断技术包括：光发射（PEM）、液晶热点分析（LCSA）、荧光微热图象（FMI）、电子束测试(EBT)等技术。但并非所有的缺陷都能发光和产生局部热点，而这些缺陷的定位需要花费很长的时间，且成功率极低。
随着集成电路制造业的飞速发展，集成电路的集成度大约每一年半增加一倍，器件特征尺寸大约每三年缩小21/2倍，相应地，集成电路故障定位的难度平均每6年增加一个数量级左右。目前，已能在单个芯片上集成约十亿个晶体管，集成度已达单芯片系统集成(SOC)程度，0.18mmCMOS技术已经进入大规模生产,研究工作则进入亚0.1mm领域。芯片上多达数层的金属互联系统，用失效分析的手段进行故障定位和机理研究，对分析设备的分辨率和芯片内部的可及性要求极高，设备造价十分昂贵，甚至没有相应的设备。即使不考虑设备成本，失效分析所需要耗费的时间和人力也是现代技术更新和产品市场周期所不能接受的。因此，可以说传统的集成电路故障定位和诊断技术已走入一个死胡同。
然而，随着全球信息时代的来临，对高可靠集成电路的需求空前的旺盛，特别在航天和军事方面，对集成电路可靠性的要求更加严格。要提高集成电路的可靠性，其故障诊断技术又是不可或缺的。因此，必须开发出新的集成电路故障诊断技术以满足现代高可靠集成电路发展的需求。
2 CMOS电路故障定位的基本方法
随着集成电路集成度的提高，定位到晶体管和连线越来越困难，缺陷的确认往往是破坏性的，必须腐蚀掉金属层以便可视检查。因此，在破坏行为之前，需要故障检测及
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