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多晶硅薄膜的制备方法

【金属加热工艺论文】摘要:低压化学气相沉积、固相晶化、准分子激光晶化、快速热退火、金属诱导晶化、等离子体增强化学反应气相沉积等是目前用于制备多晶硅薄膜的几种主要方法。它们具有各自不同的制备原理、晶化机理、及其优缺点。
关键词:氢化非晶硅 多晶硅 晶化
The preparation methods of polycrystalline silicon film
Abstract: At present,The preparation methods of polycrystalline silicon film,including Low pressure Chemical Vapor Deposition、Solide Phase Crystallization、Excimer Laser Annealing、 Rapid Thermal Annealing、Metal Induced Crystallization、plasma enhanced chemical vapor deposition,are being developed. we review typical preparation methods of polycrystalline silicon film、Crystallization Mechanism、their Advantage and Disadvantage.
Keywords: a-Si:H,Polycrystalline silicon, Crystallization
1 前言
多晶硅薄膜材料同时具有单晶硅材料的高迁移率及非晶硅材料的可大面积、低成本制备的优点。因此,对于多晶硅薄膜材料的研究越来越引起人们的关注,多晶硅薄膜的制备工艺可分为两大类:一类是高温工艺,制备过程中温度高于600℃,衬底使用昂贵的石英,但制备工艺较简单。另一类是低温工艺,整个加工工艺温度低于600℃,可用廉价玻璃作衬底,因此可以大面积制作,但是制备工艺较复杂。目前制备多晶硅薄膜的方
 
 
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